[发明专利]从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法

权利要求书

1.从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法，对碳纳米管进行化学分子修饰、超声分散处理，再从去除沉淀所得液体部分中取出碳管，其特征在于：

a.取1重量份的经纯化处理的待分离碳纳米管和0.05～2重量份的分离促进剂，将二者加入有机溶剂中，对体系进行超声混合，使分离促进剂充分吸附特定碳纳米管，然后去除沉淀保留液体，再将悬浮于液体中的碳管分离出来，用有机溶剂洗涤除去碳管上未吸附的分离促进剂，得到富集金属性碳管的产品；

b.取1重量份经a分离所得沉淀和0.05～2重量份的分离促进剂，将二者加入有机溶剂中，对体系进行超声混合处理，去除沉淀保留液体，再将悬浮于液体中的碳管分离出来，用溶剂洗涤除去将碳管上未吸附的分离促进剂，得到富集半导体性碳管产品；

在以上过程中所用的分离促进剂是具有线性稠环芳烃结构的化合物，其稠环芳烃部分含有至少三个芳环。

2.根据权利要求1所述的分离方法，其特征是取经权利要求1中b过程分离所得沉淀，再重复权利要求1的b过程进行处理，可进一步分离出不同电学性质的碳纳米管。

3.根据权利要求2所述的分离方法，其特征是对经前过程分离所得沉淀多次重复权利要求2的处理过程，可依次交替分离出不同电学性质的碳纳米管。

4.根据权利要求1或2或3所述的从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法，其特征是所用的有机溶剂为氯仿，或者为四氢呋喃，或者为N-甲基-2-吡咯烷酮，或者为N，N-二甲基甲酰胺，或者为N，N-二甲基乙酰胺或者为二甲基亚砜，或者为二乙基亚砜或含有前述溶剂的混合溶剂。

5.根据权利要求4所述的从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法，其特征是待分离碳纳米管纯化处理方法为：将1重量份的碳纳米管粉末放入加有0.1～10重量份阴离子表面活性剂的浓酸中进行超声处理，将碳管分离出来，用水洗至中性后进行退火处理。

6.根据权利要求5所述的从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法，其特征是所用的分离促进剂为蒽。

7.根据权利要求5所述的从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法，其特征是所用的分离促进剂通式为：

其中R为可以提高稠环芳烃溶解性的基团。

8.根据权利要求7所述的从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法，其特征是所用的分离促进剂中线性稠环芳烃部分的骨架中的碳可以被杂原子所取代。