[发明专利]像素结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种像素结构的制作方法，且特别是有关于一种使用激光剥离制造工艺(laser ablation process)来制作保护层的像素结构的制作方法(METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE)。

背景技术

显示器为人与信息的沟通界面，目前以平面显示器为主要发展的趋势。平面显示器主要有以下几种：有机电激发光显示器(organicelectroluminescence display)、电浆显示器(plasma display panel)以及薄膜晶体管液晶显示器等(thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶体管液晶显示器的应用最为广泛。一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管数组基板(thin film transistor array substrate)、彩色滤光数组基板(color filter substrate)和液晶层(liquid crystal layer)所构成。其中，薄膜晶体管数组基板包括多条扫描线(scan lines)、多条数据线(data lines)以及多个数组排列的像素结构(pixel unit)，且各个像素结构分别与对应的扫描线及数据线电性连接。

图1A～图1G为现有像素结构的制造流程图。首先，请参照图1A，提供一基板10，并由第一道光罩制造工艺于基板10上形成一栅极20。接着，请参照图1B，在基板10上形成一栅极绝缘层30以覆盖住栅极20。然后，请参照图1C，由第二道光罩制造工艺于栅极绝缘层30上形成一位于栅极20上方的信道层40。一般而言，信道层40的材质为非晶硅(amorphous silicon)。之后，请参照图1D，由第三道光罩制造工艺于信道层40的部分区域以与门极绝缘层30的部分区域上形成一源极50以及一漏极60。由图1D可知，源极50与漏极60分别由信道层40的两侧延伸至栅极绝缘层30上，并将信道层40的部分区域暴露。接着，请参照图1E，于基板10上形成一保护层70以覆盖栅绝缘层30、信道层40、源极50以及漏极60。然后，请参照图1F，由第四道光罩制造工艺将保护层70图案化，以于保护层70中形成一接触孔H。由图1F可知，保护层70中的接触孔H会将漏极60的部分区暴露。之后，请参照图1G，由第四道光罩制造工艺于保护层70上形成一像素电极80，由图1G可知，像素电极80会透过接触孔H与漏极60电性连接。在像素电极80制作完成之后，便完成了像素结构90的制作。

承上述，现有的像素结构90主要是由五道光罩制造工艺来进行制作，换言之，像素结构90需采用五个具有不同图案的光罩(mask)来进行制作。由于光罩的造价十分昂贵，且每道光罩制造工艺皆须使用到具有不同图案的光罩，因此，若无法缩减光罩制造工艺的数目，像素结构90的制造成本将无法降低。

此外，随着薄膜晶体管液晶显示面板的尺寸日益增加，用来制作薄膜晶体管数组基板的光罩尺寸也会随之增加，而大尺寸的光罩在造价上将更为昂贵，使得像素结构90的制造成本无法有效地降低。

发明内容

本发明关于一种像素结构的制作方法，其适于降低制作成本。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种像素结构的制作方法，其先提供一基板，并形成一栅极于基板上。接着，形成一栅介电层于基板上，以覆盖栅极。继之，同时形成一信道层、一源极以及一漏极于栅极上方的栅介电层上，其中源极与漏极配置于信道层的部分区域，且栅极、信道层、源极以及漏极构成一薄膜晶体管。接着，形成一保护层于栅介电层与薄膜晶体管上。然后，使用一激光经由一第一屏蔽照射保护层，以使得保护层暴露出漏极。接着，形成一像素电极于栅介电层上，且像素电极连接至暴露的漏极。

在本发明的像素结构制作方法中，上述形成栅极的方法，在一实施例中例如先形成一第一金属层于基板上。接着，再图案化第一金属层，以形成栅极。在另一实施例中，形成栅极的方法例如先形成一第一金属层于基板上。接着，提供一第二屏蔽于第一金属层上方，且第二屏蔽暴露出部分的第一金属层。然后，使用激光经由第二屏蔽照射第一金属层，以移除第二屏蔽所暴露的部分第一金属层。