[发明专利]浮置栅极的制造方法无效
| 申请号： | 200710161773.8 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399232A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 何青原 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 制造 方法 | ||
1.一种浮置栅极的制造方法，包括：
提供基底，该基底中已形成有多个隔离结构，在这些隔离结构之间的该基底上已依序形成有介电层与第一多晶硅层，且该第一多晶硅层的上表面低于这些隔离结构的上表面；
在该第一多晶硅层上形成外延硅层，且该外延硅层的上表面低于这些隔离结构的上表面；
在该外延硅层上形成第二多晶硅层，且该第二多晶硅层的上表面与这些隔离结构的上表面实质上位于同一高度位置；以及
对该第二多晶硅层、该外延硅层及该第一多晶硅层进行图案化工艺。
2.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该外延硅层的形成方法包括外延成长法。
3.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该第二多晶硅层的形成方法，包括：
在该基底上形成多晶硅材料层，且该多晶硅材料层覆盖该外延硅层及这些隔离结构；以及
移除部分该多晶硅材料层，直到暴露出这些隔离结构。
4.如权利要求3所述的浮置栅极的制造方法，其中该多晶硅材料层的形成方法包括化学气相沉积法。
5.如权利要求3所述的浮置栅极的制造方法，其中部分该多晶硅材料层的移除方法包括化学机械抛光法。
6.一种浮置栅极的制造方法，包括：
提供基底，该基底中已形成有多个隔离结构，在这些隔离结构之间的该基底上已依序形成有介电层与第一多晶硅层，且该第一多晶硅层的上表面低于这些隔离结构的上表面；
在该第一多晶硅层上形成第二多晶硅层，且该第二多晶硅层的上表面低于这些隔离结构的上表面；
在该第二多晶硅层上形成外延硅层，且该外延硅层的上表面与这些隔离结构的上表面实质上位于同一高度位置；以及
对该外延硅层、第二多晶硅层及该第一多晶硅层进行图案化工艺。
7.如权利要求6所述的浮置栅极的制造方法，其中该第二多晶硅层的形成方法包括化学气相沉积法。
8.如权利要求6所述的浮置栅极的制造方法，其中该外延硅层的形成方法，包括：
在该基底上形成外延硅材料层，且该外延硅材料层覆盖该第二多晶硅层及这些隔离结构；以及
移除部分该外延硅材料层，直到暴露出这些隔离结构。
9.如权利要求8所述的浮置栅极的制造方法，其中该外延硅材料层的形成方法包括外延成长法。
10.如权利要求8所述的浮置栅极的制造方法，其中部分该外延硅材料层的移除方法包括化学机械抛光法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
