[发明专利]超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件

权利要求书

1.一种制造沟型MOSFET的方法，包括：

提供具有表面的半导体材料的本体；

在该表面上形成第一掩模，第一掩模在要在该本体上设置沟之处具有开口；

通过在第一掩模中的开口腐蚀该半导体材料以形成在该半导体本体中的沟；

在该沟中淀积氧化物；

腐蚀该氧化物以在该沟的底部上形成第一氧化物层；

在该沟的侧壁上形成第二氧化物层，该第一氧化物层比第二氧化物层更厚；以及

将多晶硅引入到该沟中；

氧化所暴露的多晶硅的表面以在该沟的顶部上形成第三氧化物层，该第三氧化物层向下延伸到该沟之内并比第二氧化物层更厚；

将第一导电型的掺杂剂引入到半导体本体中以形成本体区，该本体区的结与第一氧化物层的上表面处于同一平面。

2.一种沟-栅功率MOSFET，包括

具有在其中形成沟的半导体本体，该沟的壁与在沟的角落上的半导体本体的主表面相交，该半导体本体包括：

在该沟和本体主表面附近的第一导电型的源极区；

与源极区形成结的第二导电型的本体区，该本体区包括在沟的壁附近的沟道区；以及

与本体区形成结的第一导电型的漏极区；以及

设置在该沟中的栅极，该栅极以栅极氧化物层为边界，栅极氧化物层包括在沟道区附近的第一部分和覆盖在该栅极上的第二部分，第二部分比第一部分更厚，第二部分的底部表面在半导体本体的表面的平面之下；以及

与半导体本体的顶部表面相接触的金属层，在金属层和顶部表面之间的接触区横向地延伸到沟角落。

3.根据权利要求2所述的沟-栅功率MOSFET，其中栅极氧化物层的第二部分的上表面是在半导体本体的表面的水平面上。

4.根据权利要求2所述的沟-栅功率MOSFET，其中栅极氧化物层包括在沟的底部附近的第三部分，该第三部分比第一部分更厚。

5.一种沟-栅功率MOSFET，包括

具有主表面的半导体本体和在该半导体本体中形成的沟，该半导体本体包括：

在该沟和本体主表面附近的第一导电型的源极区；

与源极区形成结的第二导电型的本体区，该本体区包括在沟的壁附近的沟道区；以及

与本体区形成结的第一导电型的漏极区；以及

设置在该沟中的栅极，该栅极以栅极氧化物层为边界，栅极氧化物层包括在沟道区附近的第一部分和覆盖在该栅极上的第二部分，第二部分比第一部分更厚，第二部分并不与在沟之外的半导体本体的主表面重叠，该第二部分的底部表面在半导体本体的表面的平面之下；以及

与半导体本体的顶部表面相接触的金属层。

6.根据权利要求5所述的沟-栅功率MOSFET，其中栅极氧化物层的第二部分的上表面是在半导体本体的表面的水平面上。

7.根据权利要求5所述的沟-栅功率MOSFET，其中栅极氧化物层包括在沟的底部附近的第三部分，该第三部分比第一部分更厚。

8.一种制造MOSFET的方法，包括：

提供半导体本体；

在该半导体本体的表面上形成沟，该沟限定台面；

沿该沟的壁形成第一绝缘层；

在该沟中形成栅极，通过绝缘层使该栅极与半导体本体绝缘；

将第一导电型的掺杂剂注入到台面中以形成本体区；

将第二导电型的掺杂剂注入到台面中以形成源极区；

在该台面上形成第二绝缘层；

在该第二绝缘层上腐蚀开口；以及

将金属层淀积到接触开口中以形成与源极区的电接触区，在大于大气压的压力下进行淀积。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在两个大气压的压力下淀积金属层。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在台面的表面上淀积阻挡层。