[发明专利]微结构器件的制造方法及其制造的微结构器件有效
申请号: | 200710161860.3 | 申请日: | 2007-09-24 |
公开(公告)号: | CN101152955A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 高马悟觉;水野义博;奥田久雄;曾根田弘光;松本刚;壶井修;佐胁一平 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81C5/00;B81B7/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微结构 器件 制造 方法 及其 | ||
1.一种微结构器件的制造方法,该微结构器件包括:第一结构部件;第二结构部件,包括面对该第一结构部件的部分;以及连接部件,连接该第一结构部件和该第二结构部件;该微结构器件通过处理材料衬底而制成,该材料衬底包括第一工艺层、第二工艺层和位于该第一工艺层与该第二工艺层之间的中间层,该方法包括:
第一处理步骤,蚀刻该第一工艺层以形成第一结构部件构成部、第二结构部件构成部、连接部件和保护部件,该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部配置为隔着隔离间隙彼此相对,该隔离间隙部分地暴露该中间层,该连接部件配置为跨过该隔离间隙将该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部彼此连接,该连接部件与该中间层接触,该保护部件配置为从该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部中的一个延伸至该隔离间隙中,该保护部件与该中间层接触;以及
第二处理步骤,蚀刻该第二工艺层以在该第二工艺层处暴露该中间层的暴露于该隔离间隙的部分和该中间层的与该连接部件相接触的部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该保护部件包括从该第一结构部件构成部延伸出的第一保护部件和从该第二结构部件构成部延伸出的第二保护部件。
3.根据权利要求1所述的方法,其中在该第二处理步骤中,还暴露该中间层的与该保护部件接触的部分。
4.根据权利要求1所述的方法,其中在该第二处理步骤中,附加第一结构部件构成部和附加第二结构部件构成部中至少一个形成在该第二工艺层中,并且进一步形成附加保护部件,该附加保护部件从所述附加第一结构部件构成部和附加第二结构部件构成部中的至少一个延伸出,并且与该中间层相接。
5.根据权利要求1所述的方法,其中在该第二处理步骤中,附加第一结构部件构成部、附加第二结构部件构成部、第一保护部件和第二保护部件形成在该第二工艺层中,该第一保护部件与该中间层保持接触并且从该附加第一结构部件构成部延伸出,该第二保护部件与该中间层保持接触并且从该附加第二结构部件构成部延伸出。
6.一种微结构器件的制造方法,该微结构器件包括:第一结构部件;第二结构部件,包括面对该第一结构部件的部分;以及连接部件,连接该第一结构部件和该第二结构部件;该微结构器件通过处理材料衬底而制成,该材料衬底包括第一工艺层、第二工艺层和位于该第一工艺层与该第二工艺层之间的中间层,该方法包括:
第一处理步骤,蚀刻该第一工艺层以形成第一结构部件构成部、第二结构部件构成部和连接部件,该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部配置为隔着隔离间隙彼此相对,该隔离间隙部分地暴露该中间层,该连接部件配置为跨过该隔离间隙将该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部彼此连接,该连接部件与该中间层接触;以及
第二处理步骤,蚀刻该第二工艺层以形成附加第一结构部件构成部和附加第二结构部件构成部中至少一个以及保护部件,该保护部件与该中间层保持接触并且从所述附加第一结构部件构成部和附加第二结构部件中至少一个延伸出,蚀刻该第二工艺层还在该第二工艺层处暴露该中间层的暴露于该隔离间隙的部分和该中间层的与该连接部件相接触的部分。
7.根据权利要求6所述的方法,其中在该第二处理步骤中,形成该附加第一结构部件构成部和该附加第二结构部件两者,并且该保护部件包括第一保护部件和第二保护部件,该第一保护部件从该附加第一结构部件构成部延伸出,该第二保护部件从该附加第二结构部件构成部延伸出。
8.根据权利要求1或6所述的方法,还包括衬底接合步骤和衬底分离步骤,该衬底接合步骤在该第一处理步骤之后并且在该第二处理步骤之前进行,用于将支撑衬底接合到该材料衬底的该第一工艺层上,该衬底分离步骤在该第二处理步骤之后进行,用于将该材料衬底和该支撑衬底彼此分开。
9.根据权利要求8所述的方法,其中在该衬底接合步骤中,将接合材料施加至将要接合至该支撑衬底的该材料衬底的第一工艺层。
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