[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

多个第一氧化物膜微透镜，形成在衬底上；以及

第二氧化物膜微透镜，形成在每个第一氧化物膜微透镜上，其中该第二氧化物膜微透镜以间隔件形式形成在每个第一氧化物膜微透镜的侧面。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中该多个第一氧化物膜微透镜的材料下部保留在该衬底上。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其中该第二氧化物膜微透镜中每一个微透镜均具有大致相同的曲率，该第一氧化物膜微透镜中每一个微透镜均具有大致相同的曲率。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中该多个第一氧化物膜微透镜由与该第二氧化物膜微透镜相同的材料形成。

5.一种图像传感器的制造方法，包括：

在衬底上形成多个第一微透镜；以及

在该多个第一微透镜上沉积透明膜；以及

蚀刻该透明膜，以在该多个第一微透镜中的各微透镜之间提供零间隙。

6.如权利要求5所述的方法，其中该透明膜包括氧化物层。

7.如权利要求5所述的方法，其中在衬底上形成多个第一微透镜的步骤包括：

在该衬底上形成氧化物膜；

在该氧化物膜上形成具有预定间隙的多个光致抗蚀剂图案；以及

使用该多个光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻该氧化物膜，以形成多个第一氧化物膜微透镜，每个氧化物膜微透镜具有大致相同的曲率。

8.如权利要求7所述的方法，其中该多个光致抗蚀剂图案包括普通的光致抗蚀剂，所述普通的光致抗蚀剂不是专门用于微透镜的光致抗蚀剂。

9.如权利要求7所述的方法，其中形成该多个光致抗蚀剂图案的步骤不包括单独的回流工艺。

10.如权利要求7所述的方法，其中形成在该衬底上的氧化物膜的厚度与形成在该氧化物膜上的光致抗蚀剂图案的厚度大致相同。

11.如权利要求7所述的方法，其中该多个光致抗蚀剂图案与该氧化物膜的蚀刻选择比率大致相同。

12.如权利要求7所述的方法，其中使用该多个光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻该氧化物膜的步骤包括：蚀刻该氧化物膜，以使该氧化物膜的下部保留在该衬底上。

13.如权利要求7所述的方法，其中蚀刻该氧化物膜的步骤包括进行等向性蚀刻。

14.如权利要求7所述的方法，其中在蚀刻该氧化物膜期间，电源电量和偏置电量的比例为3～10∶1。

15.如权利要求5所述的方法，其中蚀刻该透明膜，直至该第一微透镜暴露出为止，使得间隔件形成在该多个第一微透镜中每一个微透镜的侧面。

16.如权利要求15所述的方法，其中形成间隔件形式的步骤不使用光致抗蚀剂图案。

17.如权利要求5所述的方法，其中该透明膜的硬度大于该多个第一微透镜的材料的硬度。

18.如权利要求5所述的方法，其中沉积透明膜的步骤包括：通过低温化学气相沉积工艺形成SiO₂层。

19.如权利要求5所述的方法，进一步包括：通过注入C₅F₈、O₂、CF₄和Ar的混合气体，蚀刻该透明膜，以在该多个第一微透镜中每一个微透镜上形成微透镜形状。

20.如权利要求19所述的方法，其中C₅F₈、O₂、CF₄和Ar的混合比例为1∶1.1～3∶11～3∶50～60。