[发明专利]微反射式显示基板及其制造方法

权利要求书

1.一种微反射式显示基板的制造方法，包括：

提供基板，该基板具有多个像素区域，每一像素区域包括透射区和存储电容区；

形成多个凸块于每一像素区域的该存储电容区内的该基板上，且该多个凸块彼此分隔，每一凸块的底部与斜边则具有夹角θ，该夹角θ的范围在1-30度之间；

在每一像素区域的该存储电容区内形成第一电容电极于该基板上，且该第一电容电极覆盖该多个凸块；

形成第一绝缘层于每一像素区域的该第一电容电极上；以及

在每一像素区域的该存储电容区内形成第二电容电极于该第一绝缘层上。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该多个凸块时，使相邻的两凸块底部相隔一个间距，该间距的范围在1～10微米。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该多个凸块时，使每一凸块的底部宽度d、高度t和该夹角θ呈d≥2×t×Cotθ的关系。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中以蚀刻该基板的方式形成该多个凸块。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中在提供该基板的步骤后，形成介电层于该基板上，并图案化该介电层以形成该多个凸块。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中在每一像素区域的该存储电容区内形成该第一电容电极的步骤时，同时在该透射区的该基板上形成栅极电极与扫描信号线。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中形成该第一绝缘层于每一像素区域的该第一电容电极上的步骤时，该第一绝缘层覆盖该透射区的该栅极电极与扫描信号线。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中在每一像素区域的该存储电容区内形成该第二电容电极的步骤后，还包括：

形成第二绝缘层于该存储电容区的该第二电容电极上及该透射区的该第一绝缘层上。

9.如权利要求8所述的制造方法，还包括：

形成孔洞于该存储电容区的该第二绝缘层中以裸露出该第二电容电极的部分表面；以及

形成像素电极于该透射区的该第二绝缘层上，且该像素电极填满该孔洞以使该透射区与该存储电容区电性连接。

10.一种微反射式显示基板，包括：

基板，具有多个像素区域，每一像素区域包括透射区及存储电容区，该存储电容区中包括：

凹凸结构，包括：

多个凸块，且该多个凸块分隔地形成于该基板上，每一凸块的底部与斜边具有夹角θ，该夹角θ的范围在1-30度之间；

第一电容电极，形成于该基板上并覆盖该凹凸结构；

第一绝缘层，形成于该第一电容电极上；以及

第二电容电极，形成于该第一绝缘层上。

11.如权利要求10所述的微反射式显示基板，其中相邻的两凸块的底部具有一个间距，且该间距的范围为1～10微米。

12.如权利要求10所述的微反射式显示基板，其中该多个凸块的底部宽度d、高度t及该夹角θ呈d≥2×t×Cotθ的关系。

13.如权利要求10所述的微反射式显示基板，其中该多个凸块与该基板一体成型。

14.如权利要求10所述的微反射式显示基板，其中该多个凸块包括由图案化介电层所形成。

15.如权利要求10所述的微反射式显示基板，还包括：

栅极电极，位于该透射区的该基板上；以及

扫描信号线，位于该基板上，且连接该栅极电极。

16.如权利要求15所述的微反射式显示基板，其中该第一绝缘层位于该基板上并覆盖该透射区的该栅极电极、该存储电容区的该第一电容电极、以及该扫描信号线。

17.如权利要求16所述的微反射式显示基板，还包括：

第二绝缘层，位于该存储电容区的该第二电容电极上及该透射区的该第一绝缘层上。

18.如权利要求17所述的微反射式显示基板，其中在该存储电容区的该第二绝缘层具有孔洞，该孔洞使该第二电容电极的部分表面裸露。

19.如权利要求18所述的微反射式显示基板，其中还包括：

像素电极，位于该透射区的该第二绝缘层上，且该透射区及该存储电容区通过该像素电极电性连接。