[发明专利]非易失性存储器的编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的编程方法，适用于包括第一导电型基底、设置于该第一导电型基底中的第二导电型阱区、设置于该第二导电型阱区上的第一导电型阱区、设置于该第一导电型阱区的第二导电型源极区和第二导电型漏极区、串联设置于该第二导电型源极区与该第二导电型漏极区之间的第一选择晶体管、多个存储单元和第二选择晶体管的存储器，其中该第一选择晶体管具有第一选择栅极，各该存储单元具有电荷储存层和控制栅极，该第二选择晶体管具有第二选择栅极，该方法包括：

在该第二导电型阱区施加第一电压，且在该第一导电型阱区施加第二电压，使得载流子由该第二导电型阱区注入该第一导电型阱区；

在非选择的所述存储单元的该控制栅极施加第三电压，在该第一选择栅极与该第二选择栅极施加第四电压，其中该第三电压足以打开非选择的所述存储单元的沟道区，该第四电压足以打开该第一选择晶体管与该第二选择晶体管的沟道区；以及

在选择的该存储单元的该控制栅极施加第五电压，在该第二导电型源极区与该第二导电型漏极区施加第六电压，其中该第六电压用来产生耗尽区，该第五电压足以在该控制栅极与该第一导电型阱区之间建立垂直电场，以利用基底热载流子效应使该载流子加速而注入选择的该存储单元的该电荷储存层。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第一导电型为P型；该第二导电型为N型。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第一电压为0伏特，该第二电压为0.5～3伏特。

4.如权利要求2所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第三电压为3～10伏特，该第四电压为3～10伏特。

5.如权利要求2所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第五电压为13～19伏特，该第六电压为3～10伏特。

6.如权利要求2所述的非易失性存储器的编程方法，其中该载流子包括电子。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第一导电型为N型；该第二导电型为P型。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第一电压为0伏特，该第二电压为-0.5～-3伏特。

9.如权利要求7所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第三电压为-3～-10伏特，该第四电压为-3～-10伏特。

10.如权利要求7所述的非易失性存储器的编程方法，其中该第五电压为-13～-19伏特，该第六电压为-3～-10伏特。

11.如权利要求4所述的非易失性存储器的编程方法，其中该载流子包括空穴。

12.如权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其中该电荷储存层的材质包括掺杂多晶硅。