[发明专利]具有高密度电性连接的构装结构模块及其构装方法无效
申请号: | 200710161987.5 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN101399403A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 吴明哲 | 申请(专利权)人: | 环隆电气股份有限公司 |
主分类号: | H01R4/02 | 分类号: | H01R4/02;H01L23/488;H01L33/00;H05K1/11;G03G15/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 高密度 连接 结构 模块 及其 方法 | ||
1.一种具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于,包括:
一第一结构;
一第二结构,其高度高于该第一结构,并且该第二结构靠近该第一结构的侧壁具有多个第二开槽;以及
多个导电结构,其分别横跨所述的第二开槽,以分别电性连接于该第一结构及该第二结构之间。
2.如权利要求1所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该第一结构的侧壁具有多个分别面向所述的第二开槽的第一开槽,并且每一个导电结构横跨该相对应的第一开槽。
3.如权利要求1所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:每一个第二开槽的槽深介于50~100微米之间。
4.如权利要求2所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:每一个第一开槽的槽深介于50~100微米之间。
5.如权利要求1所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该第一结构为一驱动集成电路结构,并且该第二结构为一发光二极管阵列结构。
6.如权利要求1所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该第一结构为一发光二极管阵列结构,并且该第二结构为一驱动集成电路结构。
7.如权利要求1所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于,更进一步包括:一具有至少两个输出/输入焊垫的基板,其中该第一结构及该第二结构皆电性连接地设置于该基板上。
8.如权利要求7所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于,更进一步包括:至少两个导电元件,其分别电性连接于该第一结构与其中一输出/输入焊垫之间及该第二结构与另外一输出/输入焊垫之间。
9.如权利要求7所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该基板为一电路板。
10.如权利要求1所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该第二结构的上表面具有多个相对应所述的第二开槽的焊垫,并且所述的焊垫排列成一直线形状或以彼此交错的方式排列而成。
11.如权利要求2所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该第一结构的上表面具有多个相对应所述的第一开槽的焊垫,并且所述的焊垫排列成一直线形状或以彼此交错的方式排列而成。
12.如权利要求2所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该第一结构的上表面具有多个相对应所述的第一开槽的焊垫及多个分别成形于该第一结构的所述的焊垫与所述的第一开槽之间的第一导电轨迹,并且该第二结构的上表面具有多个相对应所述的第二开槽的焊垫及多个分别成形于该第二结构的所述的焊垫与所述的第二开槽之间的第二导电轨迹。
13.如权利要求12所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:每一个导电结构分成三个依序电性相连的第一部分、第二部分及第三部分,该第一部分成形于该第一结构的相对应焊垫及第一导电轨迹上,该第二部分依序横跨该相对应的第一开槽及第二开槽并成形于相对应的第二开槽的侧壁上,并且该第三部分成形于相对应的第二导电轨迹上以电性连接于该第二结构的相对应焊垫。
14.如权利要求12所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:该第二结构的上表面覆盖一层用以暴露出所述的焊垫及所述的第二导电轨迹的外侧端的绝缘层。
15.如权利要求14所述的具有高密度电性连接的构装结构模块,其特征在于:每一个导电结构分成两个电性相连的第一部分及第二部分,该第一部分成形于该第一结构的相对应焊垫及第一导电轨迹上,该第二部分依序横跨该相对应的第一开槽及第二开槽并且通过该绝缘层的阻挡而成形于相对应的第二开槽的侧壁上及该相对应的第二导电轨迹的外侧端上。
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