[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

位于基片上的有源半导体区；

栅极电极，位于沟道区域上，并将包括有源半导体区内的一对延伸区的一对源/漏区分离，其中沟道区域位于有源半导体区内的体区上；

体接触区，从体区延伸并从沟道区域的表面被凹进到一对延伸区下方。

2.权利要求1的半导体结构，其中体接触区域从沟道区域的表面被凹进大约200到大约400埃的距离。

3.权利要求1的半导体结构，其中：

基片包括绝缘体上半导体基片；以及

有源半导体区包括绝缘体上半导体基片内的表面半导体层。

4.权利要求1的半导体结构，其中基片包括混合晶向基片。

5.权利要求1的半导体结构，其中半导体结构包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.权利要求1的半导体结构，其中半导体结构包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.权利要求1的半导体结构，进一步包括位于体接触区上的硅化物层。

8.一种半导体结构，包括：

位于基片上的有源半导体区；

栅极电极，位于沟道区域上，并将有源半导体区内的一对源/漏区分离，其中沟道区域位于有源半导体区内的体区上；

体接触区，从体区延伸并被凹进沟道区域的表面下方；以及

位于体接触区上的硅化物层。

9.权利要求8的半导体结构，其中基片包括绝缘体上半导体基片。

10.权利要求9的半导体结构，其中有源半导体区包括绝缘体上半导体基片内的表面半导体层。

11.权利要求8的半导体结构，其中基片包括混合晶向基片。

12.权利要求8的半导体结构，其中半导体结构包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

13.权利要求8的半导体结构，其中半导体结构包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管。

14.权利要求8的半导体结构，其中体接触区相对于沟道区域的表面被凹进大约200到大约400埃的距离。

15.一种制造半导体结构的方法，包括：

在基片上形成金属氧化物半导体场效应晶体管；金属氧化物半导体场效应晶体管包括位于体区上的栅极电极和将位于半导体层内的一对源/漏区分离的半导体层内的覆叠沟道区域；

对金属氧化物半导体场效应晶体管的一部分进行掩蔽，使位于沟道区域的一部分上的栅极电极的一部分和源/漏区的一部分暴露出来；以及

刻蚀源/漏区和栅极电极以及覆叠沟道区域的暴露部分，以形成从体区延伸并相对于沟道区域表面被凹进的体接触区。

16.权利要求15的半导体结构，其中刻蚀采用两步刻蚀方法。

17.权利要求16的方法，其中两步刻蚀方法包括：

在使用栅极电介质作为刻蚀停止时，刻蚀栅极电极和源/漏区以形成从沟道区域延伸的体接触区的第一刻蚀步骤；以及

刻蚀体接触区以形成相对于沟道区域表面被凹进的体接触区的第二刻蚀步骤。

18.权利要求15的方法，其中刻蚀不包括当形成相对于沟道区域表面被凹进的体接触区时的氧化步骤。

19.权利要求15的方法，其中所述掩蔽使用了光刻胶层。

20.权利要求15的方法，其中所述形成使用了绝缘体上半导体基片。