[发明专利]高压元件

权利要求书

1.一种高压元件，包括：

半导体基板；

第一阱区，位于该半导体基板中，该第一阱区具有第一导电类型；

第二阱区，位于该半导体基板中，且相邻于该第一阱区，该第二阱区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；

场效应环状物，形成于一部分该第一阱区上，其中该场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，该场效应环状物具有该第二导电类型；

场效应电介质区，形成于一部分该场效应环状物上，且延伸至该第一阱区；以及

栅极结构，形成于一部分该场效应电介质区上，且延伸至一部分该第二阱区。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中该场效应环状物包括至少两个曲面凹陷。

3.如权利要求1所述的高压元件，其中该第一导电类型为n型。

4.如权利要求1所述的高压元件，其中该第二导电类型为p型。

5.如权利要求1所述的高压元件，还包括外延层，形成于该半导体基板中，且大体上相邻于该第一阱区，该外延层具有该第二导电类型，其中该第二阱区形成于该外延层中。

6.如权利要求1所述的高压元件，还包括漏极区，形成于该第一阱区中，且大体上不相邻于该场效应环状物。

7.如权利要求6所述的高压元件，其中该场效应环状物具有至少一个曲面凹陷表面，其形成于该栅极结构和该漏极区之间。

8.如权利要求1所述的高压元件，还包括源极区，形成于该第二阱区中，且相邻于该栅极结构。

9.如权利要求1所述的高压元件，其中该场效应电介质区为氧化硅区。