[发明专利]薄膜晶体管阵列基板,制造方法及含该基板的液晶显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条信号线、与信号线相互交叉设置的多条栅极线、设置于所述信号线和所述栅极线相互交叉形成的像素区域中的像素电极，以及设置在所述信号线和所述栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管，所述信号线与栅极线分别设置于信号线层与栅极线层，所述薄膜晶体管具有栅极、与所述像素电极电性连接的源极和与所述信号线电性连接的漏极，其中，所述信号线层与所述栅极线层之间设有栅极绝缘层，其特征在于，

所述栅极绝缘层具有被注入离子元素而形成的离子注入区域，并且所述离子注入区域与所述源极相对设置，其中所注入的离子元素降低所述离子注入区域的介电常数。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的制成材料是氮化硅材质。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所注入的离子元素为氧离子。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述离子注入区域位于所述薄膜晶体管的栅极和源极之间的夹持区域。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：

沉积一层栅极线层，并对其构图以形成栅极线；

沉积一层信号线层，并对其构图以形成信号线，其中所述信号线与栅极线交叉设置；

形成栅极绝缘层，其被设置于所述信号线层与所述栅极线层之间；

形成薄膜晶体管，其源极与由所述栅极线和信号线相互交叉所确定的像素区域中的像素电极电性连接和其漏极与所述信号线电性连接；

在所述栅极绝缘层的部分区域注入离子元素并形成离子注入区域；

其中，所述离子注入区域与所述源极相对设置，所注入的离子元素降低所述离子注入区域的介电常数。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的制成材料是氮化硅材质。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所注入的离子元素为氧离子。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述离子元素注入到所述离子注入区域采用离子布植的方式。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，涂覆一层氧化硅层于所述栅极绝缘层上，对所述氧化硅层的一部分进行光照和蚀刻以暴露出相应的栅极绝缘层部分，并在所述暴露出的栅极绝缘层部分注入离子元素而形成所述离子注入区域。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，移除所述栅极绝缘层上剩余的所述氧化硅层。

11.一种具有如权利要求1至5所述的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。