[发明专利]等离子体生成装置、等离子体控制方法和基板制造方法

权利要求书

1.一种等离子体生成装置，其特征在于：具备

a)真空容器；

b)设置在所述真空容器内、装载被处理基板的基板台；和

c)在所述真空容器内、大致平行地排列在所述基板台上的多个高频天线，其中，

将对应于所述基板台的目的区域的位置的天线的纵横比，设定成对应于该目的区域中的目的等离子体密度或等离子体电子能量的值。

2.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于：

将所述天线排列在真空容器的侧壁、或天井壁、或这两者上。

3.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于：

为了提高所述目的区域中的目的等离子体密度或电子能量，将对应天线的纵横比设为比其它天线的纵横比大的值。

4.根据权利要求3所述的等离子体生成装置，其特征在于：

所述区域包含所述基板台的中心。

5.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于：

所述天线表面被绝缘体所覆盖。

6.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于：

所述天线在真空容器内的形状为平面形。

7.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于：

将所述多条天线各自分成由1个或多个天线构成的多个组，就各个组而言，向各个天线并联提供高频功率。

8.一种等离子体控制方法，其特征在于，对于具备在真空容器内、从真空容器的侧壁或天井壁、或这两者、大致平行于装载被处理基板的基板台排列的多个高频天线的等离子体生成装置，通过调整提供给所述天线的高频功率，控制在真空容器内形成的等离子体的状态，将对应于所述基板台的目的区域的位置的天线的纵横比，设定成对应于该目的区域中的目的等离子体密度或等离子体电子能量或对应于在该目的区域中生成的离子种或自由基种的值。

9.根据权利要求8所述的等离子体控制方法，其特征在于：

为了提高所述目的区域中的目的等离子体密度或电子能量，将对应高频天线的纵横比设得比其它天线的纵横比大。

10.根据权利要求9所述的等离子体控制方法，其特征在于：

所述目的区域包含所述基板台的中心。

11.一种基板制造方法，其特征在于：

通过权利要求1-7任一项所述的等离子体生成装置或权利要求8-10任一项所述的等离子体控制方法，生成原料的等离子体，并使该原料堆积。

12.一种基板制造方法，其特征在于：

使用通过权利要求1-7任一项所述的等离子体生成装置或权利要求8-10任一项所述的等离子体控制方法所生成的等离子体，实行蚀刻处理。