[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，该MEMS器件具有：

固定电极，其形成在半导体基板上，由硅构成；

可动电极，其与所述半导体基板隔开间隙并以机械可动的状态配置，该可动电极由硅构成；和

配线层叠部，其形成在所述可动电极的周围，并且以覆盖所述固定电极的一部分的方式形成，该配线层叠部包括配线，

在所述固定电极或者所述可动电极中射入有杂质离子，而且

所述固定电极的由所述配线层叠部覆盖的部分的至少一部分转化为了硅化物。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，

所述固定电极的配置在所述配线层叠部的外部的部分和所述可动电极的一方或两方转化为了硅化物。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS器件，其特征在于，

用于所述硅化物转化的硅化物用金属为钨(W)或钼(Mo)。

4.一种MEMS器件的制造方法，所述MEMS器件具有：固定电极，其形成在半导体基板上，由硅构成；可动电极，其与所述半导体基板隔开间隙并以机械可动的状态配置，该可动电极由硅构成；和配线层叠部，其形成在所述可动电极的周围，并且以覆盖所述固定电极的一部分的方式形成，该配线层叠部包括配线，

其特征在于，所述MEMS器件的制造方法包括以下工序：

在所述半导体基板上形成所述固定电极的工序；

以一部分形成在牺牲层上的方式来形成所述可动电极的工序；

在所述固定电极和所述可动电极上形成所述配线层叠部的工序；和

通过刻蚀来除去所述配线层叠部和所述牺牲层的一部分，从而释放所述可动电极的工序，

在形成所述固定电极的工序和形成所述可动电极的工序的一方或两方工序中，包括向所述固定电极或所述可动电极中射入杂质离子的离子射入工序，而且，

在形成所述固定电极的工序中，包括将所述固定电极的由所述配线层叠部覆盖的部分的至少一部分转化为硅化物的工序。

5.根据权利要求4所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，

在形成所述固定电极的工序和形成所述可动电极的工序的一方或两方工序中，包括使所述固定电极的配置在所述配线层叠部的外部的部分和所述可动电极的一方或两方转化为硅化物的工序。

6.根据权利要求4或5所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，

使用钨(W)或者钼(Mo)来作为所述硅化物转化所使用的硅化物用金属。