[发明专利]功率金属氧化物硅场效应晶体管

权利要求书

1.一种装置，包括：

半导体衬底；

设置在所述半导体衬底之上的多个栅极；

在所述半导体衬底之上和相邻所述多个栅极处组成阵列的多个基区；以及

围绕并延伸在相邻基区之间的多个源极间连接图案，用于向所述多个栅极提供电流，其中所述源极间连接图案具有延伸至所述多个栅极的接触区域的预定几何图案。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述源极间连接图案每个包括非线性图案。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在相邻的基区之间延伸的每个非线性图案的一部分包括：

从第一基区延伸的第一延伸部分；

沿朝多个栅极其中之一的接触区域的方向从所述第一延伸部分基本垂直延伸的第二延伸部分；

沿朝第二基区方向从所述第二延伸部分基本垂直延伸的第三延伸部分；

沿朝所述多个栅极其中之一的接触区域方向从所述第三延伸部分基本垂直延伸的第四延伸部分；

从所述第四延伸部分基本垂直延伸并与所述第二基区部分接触的第五延伸部分。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，每个互连图案包括多个弯曲部分。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述多个弯曲部分其中之一每个是削角。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，每个削角成约45度角度倾斜。

7.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，围绕所述基区的所述源极间连接图案的一部分具有基本三角形形状。

8.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，围绕所述基区的所述源极间连接图案的一部分具有基本矩形形状。

9.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，围绕所述基区的所述源极间连接图案的一部分具有基本正弦形状。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在相邻基区之间延伸的所述源极间连接图案包括在相邻基区之间线性延伸的第一延伸部分和朝所述多个栅极方向从所述第一延伸部分基本垂直延伸的第二延伸部分。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第二延伸部分的每个末端具有基本矩形形状。

12.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第二延伸部分的每个末端具有基本三角形形状。

13.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第二延伸部分的每个末端是截锥形从而它们不形成直角。

14.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在相邻基区之间延伸的所述源极间连接图案包括在相邻基区之间线性延伸的第一线性延伸部分和朝所述多个栅极方向从所述第一延伸部分基本垂直延伸的至少两个平行延伸部分。

15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述至少两个平行延伸部分的每个末端具有基本矩形形状。

16.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述至少两个平行延伸部分的每个末端具有基本三角形形状。

17.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述至少两个平行延伸部分的每个末端是截锥形从而它们不形成直角。

18.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个源极间连接图案由n⁺型掺杂剂形成。

19.一种装置包括：

半导体衬底；

设置在所述半导体衬底之上的多个栅极；

在所述半导体衬底之上和相邻所述多个栅极处组成阵列的多个基区；以及

围绕并延伸在相邻基区之间的多个源极间连接图案，用于向所述多个栅极提供电流，其中在相邻基区之间延伸的所述源极间连接图案的一部分包括相邻基区之间线性延伸的第一线性延伸部分和朝所述多个栅极方向从所述第一延伸部分基本垂直延伸的至少两个平行延伸部分。

20.一种装置，包括：

半导体衬底；

设置在所述半导体衬底之上的多个栅极；

在所述半导体衬底之上和相邻所述多个栅极处组成阵列的多个基区；以及

围绕并延伸在相邻基区之间的多个源极间连接图案，用于向所述多个栅极提供电流，其中在相邻基区之间延伸的所述源极间连接图案一部分具有基本正弦形状。