[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

具备电极的基板；

在所述基板的电极上形成的Ni系层；

配置在所述Ni系层上，与所述电极电连接的Sn系焊球；以及，

在所述Sn系焊球与所述Ni系层之间形成的化合物层，其使所述Si系焊球和所述Ni系层互不接触。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述化合物层与所述Ni系层直接接触，其间不包含其他单质的金属层。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述Sn系焊球中具有与所述化合物层中包含的成分相同的化合物的相。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述化合物层是以Cu-Sn化合物或其与Ni-Sn化合物为主体的层。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，Cu-Sn化合物是Cu6Sn5。

6.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述化合物的相为Cu6Sn5相。

7.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述Cu-Sn化合物层是通过使用含有比共晶组成多的Cu6Sn5相的Sn系焊料连接材料进行连接，使所述Cu6Sn5相在所述Ni系层上析出或移动而形成的。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，在所述Sn系焊球中残存有所述Cu6Sn5相。

9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述Sn系焊料连接材料是以焊球、焊膏、焊接镀中的任一种形式提供的。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述Ni系层是Ni、Ni-P、Ni-B中的任一种。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述Ni系层是通过镀敷而形成的。

12.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述Sn系焊球是Sn-Ag-Cu系焊料、Sn-Zn系焊料、Sn-Ag-Cu-Bi-In系焊料、Sn-Ag-Cu-In系焊料、Sn-Bi系焊料、Sn-In系焊料中的任一种。

13.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述基板的实装了所述Sn系焊球的面的反面，至少实装有表面实装部件、半导体元件、芯片部件中的任一种。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述Sn系焊球是Sn-Ag-Cu系焊料、Sn-Zn系焊料、Sn-Ag-Cu-Bi-In系焊料、Sn-Ag-Cu-In系焊料、Sn-Bi系焊料、Sn-In系焊料中的任一种，所述表面实装部件或所述半导体元件或所述芯片部件中的任一个与所述基板的连接是使用具有比共晶组成多的Cu6Sn5相的Sn-Ag-Cu系焊料、Sn-Zn系焊料、Sn-Ag-Cu-Bi-In系焊料、Sn-Ag-Cu-In系焊料、Sn-Bi系焊料、Sn-In系焊料中的任一种进行连接的。

15.一种电子装置，其特征在于，包括：

具备电极的基板；

在所述基板的电极上形成的Ni系层；

配置在所述Ni系层上，由与所述电极电连接的Sn系焊球形成的连接部；

在所述由Sn系焊球形成的连接部与所述Ni系层之间形成的化合物层，其使所述由Si系焊球形成的连接部和所述Ni系层互不接触；以及，

通过所述Ni系层、所述由Sn系焊料形成的连接部、所述化合物层而与所述基板的电极电连接的实装部件。

16.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，所述化合物层与所述Ni系层直接接触，其间不包含其他单质的金属层。

17.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，所述实装部件为表面实装部件、芯片部件、插入实装部件中的任一种。

18.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，在所述由Sn系焊料形成的连接部中，具有与所述化合物层中包含的成分相同的化合物的相。

19.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，所述化合物层是以Cu-Sn化合物或其与Ni-Sn化合物为主体的层。