[发明专利]存储元件及使用该存储元件的储存装置有效
| 申请号： | 200710163092.5 | 申请日： | 2004-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101145600A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 荒谷胜久;河内山彰;石田实 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 使用 储存 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种储存元件，包括：
非结晶薄膜，其位于第一电极和第二电极之间，其中
所述第一和第二电极中一个或全部电极包含银或铜，且
所述非结晶薄膜不包含银或铜元素且包括氧化物。
2.如权利要求1所述储存元件，其中所述氧化物包含过渡金属氧化物、氧化锗和氧化硅中的任意一种。
3.一种储存装置，包括：
存储元件，该存储元件包括：非结晶薄膜，其位于第一电极和第二电极之间，其中所述第一和第二电极中至少一个电极包含银或铜，且所述非结晶薄膜不包含银或铜元素且包括氧化物；
连接到所述第一电极侧的布线；和
连接到所述第二电极侧的布线；其中
所述存储元件被大量布置。
4.如权利要求3所述储存装置，其中所述氧化物包含过渡金属氧化物、氧化锗和氧化硅中的任意一种。
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