[发明专利]应用于模块集成电路的金属导电结构及其制作方法

权利要求书

1.一种应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征在于，包括：

一大晶片，其具有一本体及至少一贯穿该本体的穿孔；

一第一绝缘单元，其具有一成形于该至少一穿孔的内表面的第一内绝缘层 及一从该第一内绝缘层延伸而出并成形于该本体的第一部分下表面的第一外 绝缘层；以及

一第一导电单元，其具有一成形于该第一内绝缘层上的第一内导电层及至 少一通过将成形于该第一外绝缘层上的第一外导电层部分移除，而成形于该第 一外绝缘层上的第一导通点。

2.根据权利要求1所述的应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征 在于：该大晶片为一硅大晶片，该第一内绝缘层及该第一外绝缘层皆为氧化层， 并且该第一内导电层及该至少一第一导通点皆为金属层。

3.根据权利要求1所述的应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征 在于，更进一步包括：

至少一凹槽，其成形于该本体上；

一第二绝缘单元，其具有一成形于该至少一凹槽的内表面的第二内绝缘层 及一从该第二内绝缘层延伸而出并成形于该本体的第二部分下表面的第二外 绝缘层；以及

一第二导电单元，其具有一成形于该第二内绝缘层上的第二内导电层及至 少一成形于该第二外绝缘层上的第二导通点。

4.根据权利要求3所述的应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征 在于：该第二内绝缘层及该第二外绝缘层皆为氧化层，并且该第二内导电层及 该至少一第二导通点皆为金属层。

5.一种应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征在于，包括：

一大晶片，其具有一本体及至少一贯穿该本体的穿孔；

一第一绝缘单元，其具有一成形于该至少一穿孔的内表面的第一内绝缘层 及一从该第一内绝缘层延伸而出并成形于该本体的第一部分下表面的第一外 绝缘层；

一第一导电单元，其具有一成形于该第一内绝缘层上的第一内导电层及一 成形于该第一外绝缘层上的第一外导电层；

至少一第一导通体，其设置于该第一外导电层上，以作为一导通点使用。

6.根据权利要求5所述的应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征 在于：该大晶片为一硅大晶片，该第一内绝缘层及该第一外绝缘层皆为氧化层， 该第一内导电层及该第一外导电层皆为金属层，并且该至少一第一导通体为一 锡球。

7.根据权利要求5所述的应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征 在于，更进一步包括：

至少一凹槽，其成形于该本体上；

一第二绝缘单元，其具有一成形于该至少一凹槽的内表面的第二内绝缘层 及一从该第二内绝缘层延伸而出并成形于该本体的第二部分下表面的第二外 绝缘层；以及

一第二导电单元，其具有一成形于该第二内绝缘层上的第二内导电层及一 成形于该第二外绝缘层上的第二外导电层；

至少一第二导通体，其设置于该第二外导电层上，以作为一导通点使用。

8.根据权利要求7所述的应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征 在于：该第二内绝缘层及该第二外绝缘层皆为氧化层，该第二内导电层及该第 二外导电层皆为金属层，并且该至少一第二导通体为一锡球。

9.一种应用于模块集成电路的金属导电结构的制作方法，其特征在于， 包括下列步骤：

提供一大晶片，其具有一本体及至少一贯穿该本体的穿孔；

同时成形一第一内绝缘层于该至少一穿孔的内表面及成形一从该第一内 绝缘层延伸而出的第一外绝缘层于该本体的第一部分下表面；以及

同时成形一第一内导电层于该第一内绝缘层上及成形一第一外导电层于 该第一外绝缘层上；

移除该第一外导电层的一部分，以形成至少一第一导通点于该第一外绝缘 层上。

10.根据权利要求9所述的应用于模块集成电路的金属导电结构的制作方 法，其特征在于，更进一步包括：设置至少一第一导通体于该第一外导电层上， 以作为一导通点使用，其中该至少一第一导通体为一锡球。