[发明专利]用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法无效
申请号: | 200710163282.7 | 申请日: | 2007-10-19 |
公开(公告)号: | CN101148244A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 杨学安 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | B81C3/00 | 分类号: | B81C3/00;H01L21/52 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用以 封装 微机 系统 装置 晶圆级治具 方法 | ||
1.一种用以封装微机电系统装置的治具,其特征在于包含:
一基材,具有一表面,并具有至少一单元,其包含一凹口位于该表面上;
一第一材料层,配置于位于该基材的表面与该凹口上;
一绝缘层,配置于部分该第一材料层上,并裸露出位于该凹口上的该第一材料层;以及
一第二材料层,配置于在该凹口上的该第一材料层上,并形成有至少一帽盖,其用以接合于该微机电系统装置,并使该微机电系统装置对应该基材上的单元,其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力,该帽盖与该微机电系统装置之间具有一第二接合力,且该第二接合力是大于该第一接合力。
2.根据权利要求1所述的治具,其特征在于另包含:
一光阻层,包覆部份该基材,并裸露出该凹口,其中该第一材料层是配置于在该基材的表面上的该光阻层与该凹口上。
3.根据权利要求1所述的治具,其特征在于所述的第二材料层同时延伸至位于该光阻层上的该第一材料层上。
4.根据权利要求1所述的治具,其特征在于所述的第一与第二材料层分别为第一与第二金属层。
5.根据权利要求4所述的治具,其特征在于所述的第一与第二金属层分别为钛与镍金属所制。
6.一种用以封装多数个微机电系统装置的治具的制造方法,其特征在于包含下列步骤:
提供一基材,其具有一表面,并定义有多数个单元,每一单元具有一凹口区域位于该表面上;
形成一光阻层于该基材上;
图案化该光阻层,用以裸露出所述凹口区域;
蚀刻该基材的表面上的每一凹口区域以形成一凹口;
形成一第一材料层于在该基材的表面上的该光阻层与所述凹口上;
形成一绝缘层于该第一材料层上;
图案化该绝缘层,用以裸露出位于所述凹口上的该第一材料层;以及
形成一第二材料层于在所述凹口上的该第一材料层上,并形成有多数个帽盖,其用以接合于所述微机电系统装置,并使每一微机电系统装置对应该基材上的每一单元,其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力,所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力,且该第二接合力是大于该第一接合力。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于所述的第一与第二材料层分别为第一与第二金属层。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于所述的第一与第二金属层分别为钛与镍金属所制。
9.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于所述的第一与第二金属层之间的第一接合力是通过一电镀制程而形成。
10.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于所述的帽盖与该微机电系统装置之间的第二接合力是通过一黏接制程而形成。
11.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于所述的帽盖与该微机电系统装置之间的第二接合力是通过一焊接制程而形成。
12.一种微机电系统装置的封装方法,其特征在于包含下列步骤:
提供一治具,其包含一基材、一第一材料层及一第二材料层,其中该第一材料层与该第二材料层是依序配置于该基材上,该第二材料层形成有多数个帽盖,且该第一该第一与第二材料层之间具有一第一接合力;
提供一晶圆具有多数个微机电系统装置;
经由所述帽盖将该治具接合于该晶圆,其中所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力,且该第二接合力是大于该第一接合力;以及
分离该晶圆与该治具,并保留所述帽盖于所述微机电系统装置上。
13.一种微机电系统装置的封装方法,其特征在于包含下列步骤:
提供一基材,其具有一表面,并具有多数个单元,每一单元具有一凹口区域位于该表面上;
形成一光阻层该基材上;
图案化该光阻层,用以裸露出所述凹口区域;
蚀刻该基材的表面上的每一凹口区域以形成一凹口;
形成一第一材料层于在该基材的表面上的该光阻层与所述凹口上;
形成一绝缘层于该第一材料层上;
图案化该绝缘层,用以裸露出位于所述凹口上的该第一材料层;
形成一第二材料层于在所述凹口上的该第一材料层上,并形成多数个帽盖,其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力,且该基材、第一及第二材料层是构成一治具;
提供一晶圆具有多数个微机电系统装置;
经由所述帽盖将该治具接合于该晶圆,并使每一微机电系统装置对应该基材上的每一单元,其中所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力,且该第二接合力是大于该第一接合力;以及
分离该晶圆与该治具,并保留所述帽盖于所述微机电系统装置上。
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