[发明专利]改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法及其接触窗

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路器件，且特别涉及一种改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法及由此形成的接触窗。

背景技术

在一些集成电路(IC)器件(device)生产工艺制造过程中，由于前层工艺留下了导体残渣(residue)，从而引起接触窗(contact)内填充的导体和前层工艺留下的导体残渣连接导通，导致整个器件电性测试有漏电现象，器件的功能测试失败。

图1A示出了现有的接触窗的横截面的示意图，其包括衬底(substrate)1，衬底上部的层间介电质(Inter Layer Dielectrics，ILD)2，层间介电质中间形成的接触窗3。在接触窗3中例如4的部位，常常有前层工艺留下的导体残渣，当接触窗3内填充有导体后，便可能产生接触窗3内的导体与导体残渣连接导通，从而导致整个器件电性测试有漏电现象，器件的功能测试失败，影响产品的合格率。

发明内容

鉴于现有技术中的上述问题，本发明的一个目的在于提供一种改善集成电路器件生产工艺中接触窗因短路漏电的方法。

本发明的另一个目的在于提供一种改善集成电路器件生产工艺中接触窗因短路漏电的新类型接触窗。

为实现上述目的本发明的技术方案为：

一种改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法，包括下列步骤：

步骤1，蚀刻后形成接触窗；

步骤2，在蚀刻后形成接触窗的晶片(wafer)表面沉积一层绝缘体薄膜；

步骤3，平坦化蚀刻，在接触窗侧壁形成一层绝缘体薄膜，以形成一种新类型的接触窗。

一种由上述方法形成的集成电路器件的接触窗。

本发明通过在现有的接触窗侧壁内形成一层绝缘薄膜，从而阻绝了导体残渣与接触窗直接接触，在接触窗内填充导体后，便不会与导体残渣连接导通，因此可以明显的改善集成电路器件生产工艺中接触窗因短路漏电，从而提高产品的合格率。本发明可以在工序和成本增加很少的情况下，改善集成电路器件生产工艺中接触窗因短路漏电的发生，带来集成电路器件的合格率的提高。

附图说明

图1A表示现有的接触窗的横截面的示意图；

图1B表示本发明的一个实施例的接触窗的横截面的示意图；

图2A表示现有的接触窗在透射电子显微镜(TEM)下的横截面的照片；

图2B表示使用本发明方法形成的接触窗在TEM下的横截面的照片；

图2C表示使用本发明方法形成的接触窗在TEM下的横截面的照片。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。

参照图1B，其表示本发明的一个实施例的接触窗的横截面的示意图。其包括衬底1，形成于其上的层间介电质2，形成于层间介电质2中接触窗31，在该接触窗31的侧壁上沉积有一层绝缘体薄膜5。

本发明的一个实施例的方法包括：

首先，形成一层衬底1，在该衬底1上形成层间介电质2，蚀刻该层间介电质2以形成接触窗31。

然后，蚀刻该接触窗31，在蚀刻后的该接触窗31表面沉积一层绝缘体薄膜5。

最后，平坦化蚀刻该绝缘体薄膜5，在接触窗31侧壁留下一层绝缘体。

本发明通过在接触窗31的侧壁形成一层绝缘体薄膜5，可以阻绝例如残留在4位置处的导体残渣与在后续工艺中接触窗中填入的导体(图中未示出)直接接触，从而使器件不会漏电。

参照图2A，其表示现有的接触窗在TEM下的横截面的照片。图中虚线是申请人为清楚说明本发明而标注，原照片中并没有。可见，在接触窗32的底侧部会有前层工艺留下的导体残渣6。

参照图2B，其表示使用本发明方法形成的接触窗在TEM下的横截面的照片。图中线段(包括虚线和实线)为申请人为清楚说明本发明而标注，原照片中并没有。可见通过在接触窗32的侧壁上形成一层绝缘体薄膜51，前层工艺残留的导体残渣6被绝缘体薄膜51隔离，而不会与接触窗32内填入的导体(图中未示出)直接连接。

参照图2C，其表示使用本发明方法形成的接触窗在TEM下的横截面的照片。图中虚线为申请人为清楚说明本发明而标注，原照片中并没有。其中示出了经过本发明的方法的处理后，在接触窗32的侧壁上形成了一层绝缘体薄膜52。

虽然，本发明已通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离本发明精神及其实质的情况下，所属技术领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的变化和修正，但这些相应的变化和修正都应属于本发明的权利要求的保护范围。