[发明专利]使用二次工艺平面快速传导冷却无效
申请号: | 200710163593.3 | 申请日: | 2007-10-12 |
公开(公告)号: | CN101207010A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 库赫斯特·索瑞伯基;亚历山大·N·勒纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 二次 工艺 平面 快速 传导 冷却 | ||
1.一种衬底处理装置,包括:
腔室;
设置在所述腔室中的磁驱动衬底支架,其包括配置为在其上表面上支撑所述衬底的环形体;
与所述环形体耦接的环形延伸;以及
与所述环形体耦合的窗口,其中所述窗口设置在衬底下方并透光和透热。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
在所述腔室中设置的热源。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述热源设置在所述窗口的下方。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
与所述环形延伸可拆卸连接的环孔。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述环形体配置为与定子组件磁耦合。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
从所述窗口的上表面延伸的多个升降杆。
7.一种衬底处理装置,包括:
具有包括上部分和下部分内容积的腔室;
设置在所述内容积中的冷却板和热源,所述冷却板与所述热源相对;以及
配置为使衬底在上部分和下部分之间移动的悬浮衬底支架。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述冷却源设置在所述内容积的上部分以及所述热源设置在所述内容积的下部分。
9.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述冷却板包括黑色材料。
10.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述冷却板包括至少一个流体管道,用于冷却剂在其中流动。
11.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述衬底支架具有接收所述热源的内径尺寸。
12.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述衬底支架具有配置为接收并支撑衬底的支撑环。
13.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,进一步包括:
设置在相邻所述热源和所述衬底之间的窗口,其中所述窗口可透过紫外线光。
14.一种用于热处理衬底的方法,包括:
提供具有在其中设有悬浮衬底支架的腔室;
朝第一位置移动所述衬底;
加热位于第一位置的所述衬底;
将所述衬底移动至与有源冷却装置相邻的第二位置;以及
冷却位于第二位置的所述衬底,其中所述第一和第二位置设置在腔室中。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述加热步骤包括约2分钟或更少的时间周期。
16.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述冷却步骤包括约10秒或更少之间的时间周期。
17.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述第一位置和第二位置各包括等于第一位置和第二位置总和距离的约二分之一。
18.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述冷却装置包括设置在所述腔室中的至少一个冷却区。
19.一种用于热处理衬底的方法,包括:
在第一温度下将衬底提供给腔室;
在第一时间周期将衬底加热至第二温度;
在第二时间周期将衬底加热至第三温度;
在第二时间周期将衬底冷却至第二温度;以及
在第三时间周期将衬底冷却至第一温度,其中所述第二时间周期小于约2秒。
20.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,所述冷却步骤包括:
在所述腔室内移动所述衬底相邻冷却区。
21.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,所述第二时间周期是约0.3秒到约1.8秒之间。
22.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,所述第二温度是约800℃到约1200℃之间。
23.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,所述第二温度是约900℃到约1150℃之间。
24.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,所述第三温度比所述第二温度高约25℃到约100℃。
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