[发明专利]以高折光率纳米粒子堆积所装置之发光二极管组件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管组件，包含：

至少一发光二极管芯片；

一基座，提供该发光二极管芯片结构的固定与电性的连接；

一纳米透光层，光学接触于所述发光二极管芯片的至少一部份的表面；

其特征在于：

所述纳米透光层至少是由折光率大于1.65、平均粒径小于100nm且均匀堆积的纳米粉体所构成，所述纳米粉体对所述芯片所发出的光波长大体上为透明。

2.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米粉体为经过表面修饰或表面接枝的纳米颗粒。

3.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米透光层包含由所述纳米粉体的表面接枝物质或其它透明物质填充于所述纳米粉体颗粒的至少部份间隙中。

4.如权利要求1的的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米透光层进一步由一透明封装材料包封于所述纳米透光层与所述发光二极管芯片的外围。

5.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米粉体为以两种或两种以上不同粒径大小的纳米颗粒所混合而成。

6.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米透光层与空气的界面形成具有适当直径的近似半球状，并将所述发光二极管芯片设置于球中心的位置。

7.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米透光层与空气的界面形成具有以光波长为周期的周期性凹凸结构，即光子晶体结构。

8.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米透光层与空气的界面形成具有一微米至一百微米等级程度的表面粗糙度。

9.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米透光层的内部中心处或外部添加光致发光荧光粉，以转换所述发光二极管芯片所发出的光波长。

10.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米粉体为具有核壳结构、即表面层与内部为不同材料的纳米颗粒所构成。

11.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述发光二极管芯片为蓝光芯片、绿光芯片、红光芯片或其它色光芯片或其他不可见光芯片。

12.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述基座为陶瓷基板、塑料基板、金属基板、灌胶支架、模塑支架。

13.如权利要求1的发光二极管组件，其特征在于：所述纳米粉体为氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化锡、氧化锑、氧化铝、钛酸钡、钛酸锶、氮化铝、氮化镓、磷化镓、硫化锌、碳化硅等高折光率透明氧化物或半导体化合物或其组合所构成。

14.一种发光二极管制造方法，包含：

提供一发光二极管芯片，

提供一由基本透明、具高折光率的纳米颗粒所形成具有可操作黏度的纳米分散胶体，

将所述纳米胶体定量点胶于一光滑平面上后，挥发胶体的溶剂，使胶体自由收缩，至形成一上表为曲面、下表为平面，并具有塑性的纳米透光凝胶块体，

将所述纳米透光凝胶块体移至所述发光二极管芯片的一表面，使两界面自然产生光学接触，进而硬化成一纳米透光层于所述发光二极管芯片的一发光表面。

15.如权利要求14的发光二极管制造方法，其特征在于：所述纳米分散胶体中溶解有一透明液态树脂。