[发明专利]电压控制振荡器电路

权利要求书

1.一种电压控制振荡器电路，其特征在于，包括：

一环形振荡器电路，其由多个延迟电路单元串接而成，前一延迟电路单元的输出端电连接至后一延迟电路单元的输入端而形成一节点；以及

多个受控延迟电路单元，其中一受控延迟电路单元的输入端与输出端分别电性连接至该环形振荡器电路中的一第一节点与一第二节点，而该第一节点与该第二节点间所具有的延迟电路单元数量相同，且每一个受控延迟电路单元受一控制信号控制而于一导通状态与一断路状态间切换，进而改变所述节点所输出的相位互异的多个振荡信号的频率。

2.根据权利要求1所述的电压控制振荡器电路，其特征在于，所述延迟电路单元为n个数字反相器，而n为大于1的正奇数。

3.根据权利要求1所述的电压控制振荡器电路，其特征在于，该受控延迟电路单元包括：

一第一金属氧化物半导体晶体管，其栅极受该控制信号的控制而导通或断路，其源极电连接至一第一电压电源；

一第二金属氧化物半导体晶体管，其栅极电连接于该第一节点，其源极电连接至该第一金属氧化物半导体晶体管的漏极，其漏极电连接于该第二节点；

一第三金属氧化物半导体晶体管，其栅极电连接于该第一节点，其漏极电连接至该第二金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及

一第四金属氧化物半导体晶体管，其栅极受该控制信号的控制而导通或断路，其漏极电连接至该第三金属氧化物半导体晶体管的源极，其源极电连接于一第二电压电源。

4.根据权利要求3所述的电压控制振荡器电路，其特征在于，该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二金属氧化物半导体晶体管同为P型金属氧化物半导体晶体管，该第三金属氧化物半导体晶体管与该第四金属氧化物半导体晶体管同为N型金属氧化物半导体晶体管，而该第一金属氧化物半导体晶体管的栅极用以接收该控制信号的一反相信号，该第四金属氧化物半导体晶体管的栅极则用以接收该控制信号。

5.根据权利要求3所述的电压控制振荡器电路，其特征在于，该高电压电源与该低电压电源由一电源装置提供，该电源装置包括：

一数字控制电流源，其应一数字信号的变化而改变其输出电流的大小；

一第五金属氧化物半导体晶体管，其栅极与漏极相连接并串接至该数字控制电流源；

一第六金属氧化物半导体晶体管，其栅极连接至该第五金属氧化物半导体晶体管的栅极，其源极与该第五金属氧化物半导体晶体管的源极共同连接至一定电压源；以及

一电容，该电容一端连接至该第六金属氧化物半导体晶体管的漏极，该电容另一端连接至该第二电压电源，该电容两端间的电压差受该数字控制电流源的输出电流而变化，进而于其两端分别输出该第一电压电源的电压与该第二电压电源的电压至该受控延迟电路单元的第一金属氧化物半导体晶体管的源极及该第四金属氧化物半导体晶体管的源极。

6.根据权利要求1所述的环形振荡器电路，其特征在于，所述受控延迟电路处于该导通状态时，该节点所输出的该振荡信号的频率为一第一频率，所述受控延迟电路处于断路状态时，该节点所输出的该振荡信号的频率为一第二频率，其中第一频率大于第二频率。

7.一种电压控制振荡器电路，其特征在于，包括：

一环形振荡器电路，其由n个延迟电路单元串接而成，其中前一延迟电路单元的输出端电连接至后一延迟电路单元的输入端而形成一节点，n为大于1的正奇数；以及

多个受控延迟电路单元，其中一受控延迟电路单元的输入端与输出端分别电性连接至该环形振荡器电路中的一第一节点与一第二节点，而该第一节点、该第二节点及该受控反相器所形成的一副回路上所具有的延迟电路单元数量都同为i且i小于n，而因受控反相器的置入所略过的数字反相器的数目则为x且x小于n，而x、i、n的关系为x＝n-i+1，且每一个受控延迟电路单元受一控制信号控制而于一导通状态与一断路状态间切换，进而改变所述节点所输出的相位互异的多个振荡信号的频率。

8.根据权利要求7所述的电压控制振荡器电路，其特征在于，n个延迟电路单元为n个数字反相器。