[发明专利]处理基片的装置和方法及供应等离子体的方法

权利要求书

1.一种处理基片的装置，包括：

第一生成单元，用于向放电空间供应第一源气体，并给供应的第一源气体放电以生成第一等离子体；

第二生成单元，用于向所述第一等离子体的流动路径上供应第二源气体，并利用第一等离子体给供应的第二源气体放电，以生成第二等离子体；以及

处理室，将所述第一等离子体及所述第二等离子体供应到所述处理室，所述处理室中装载有利用所述第一等离子体和所述第二等离子体处理的目标基片。

2.根据权利要求1所述的处理基片的装置，其中，所述第一生成单元包括：

内部管，设置在所述处理室的一侧，并用于确定生成所述第一等离子体的所述放电空间；

放电器，连接到所述内部管，并用于给所述放电空间中的所述第一源气体放电；以及

第一供应管道，连接到所述内部管，并用于向所述放电空间供应所述第一源气体。

3.根据权利要求2所述的处理基片的装置，其中，所述第二生成单元设置在所述内部管和所述处理室之间，并且所述第二生成单元包括第二供应管道，所述第二供应管道用于向所述第一等离子体的流动路径上供应所述第二源气体。

4.根据权利要求3所述的处理基片的装置，其中，所述第二供应管道包括气体供应管道，所述气体供应管道用于供应比第一源气体具有更高反应性的第二源气体。

5.根据权利要求4所述的处理基片的装置，其中，所述气体供应管道用于供应氟基气体。

6.根据权利要求5所述的处理基片的装置，其中，所述氟基气体包括CF₄和CHF₃中的至少一个。

7.根据权利要求2所述的处理基片的装置，进一步包括：

扩散管，设置于所述等离子体室和所述处理室之间，所述扩散管具有向上锥形的横截面。

8.根据权利要求2所述的处理基片的装置，进一步包括：

挡板，设置于所述等离子体室和所述处理室之间，在所述挡板上形成有多个通孔。

9.根据权利要求8所述的处理基片的装置，其中，所述挡板接地。

10.根据权利要求2所述的处理基片的装置，其中，所述第一供应管道包括用于供应氧气的氧气供应管道。

11.根据权利要求1所述的处理基片的装置，其中，所述处理室位于所述第一生成单元和所述第二生成单元的下面；并且，

其中，所述第一等离子体和所述第二等离子体通过下游的方法被供应到所述处理室中。

12.根据权利要求1所述的处理基片的装置，其应用在灰化工艺中。

13.一种供应等离子体的方法，所述方法包括：

向放电空间供应第一源气体，并利用放电器给供应的第一源气体放电，以生成第一等离子体；以及

将第二源气体供应到所述第一等离子体的流动路径上，并利用所述第一等离子体给供应的第二源气体放电，以生成第二等离子体。

14.根据权利要求13所述的供应等离子体的方法，其中，所述第二源气体被供应到所述第一等离子体的从所述放电空间排出的流动路径上。

15.根据权利要求13所述的供应等离子体的方法，其中，所述第二源气体比第一源气体具有更高的反应性。

16.根据权利要求13所述的供应等离子体的方法，其中，经过形成于挡板上的多个通孔供应所述第一等离子体和所述第二等离子体。

17.根据权利要求16所述的供应等离子体的方法，其中，所述挡板是接地的，并且所述第一等离子体和所述第二等离子体中的离子通过所述挡板过滤。

18.一种处理基片的方法，所述方法包括：

将基片装入处理室中；

在所述处理室中供应由第一源气体生成的第一等离子体；

将第二源气体供应到所述第一等离子体的流动路径上；以及

供应利用所述第一等离子体放电而生成的第二等离子体，以处理基片。

19.根据权利要求18所述的处理基片的方法，其中，通过利用放电器给供应到放电空间的所述第一源气体放电，以生成所述第一等离子体。