[发明专利]具有集成的接近端使用可控的批容量的接近处理有效
申请号: | 200710164164.8 | 申请日: | 2007-10-08 |
公开(公告)号: | CN101220492A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | C·A·伍兹;Y·N·多迪;J·怀利;R·马拉斯琴 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究公司 |
主分类号: | C25D7/12 | 分类号: | C25D7/12;C25D17/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 接近 使用 可控 容量 处理 | ||
1.一种基片电镀装置,包括:
具有外部表面和能够容纳自耗电镀材料的内部室的输送单元,所述内部室能够容纳电镀液体,所述内部室具有连通于第一多孔垫的开口,以允许所述电镀液体输入和输出所述输送单元的内部室;
具有外部表面和能够容纳一种材料的内部容积的接收单元,所述材料能够促进电场的分布,所述接收单元的内部容积被构造用于储存至少所述电镀液体的一部分,并且所述接收单元的内部容积具有连通于第二多孔垫的开口,以允许所述电镀液体输入和输出所述接收单元的内部室,使得所述的第二多孔垫与第一多孔垫基本上对准,因此就确定了在所述第一和第二多孔垫之间的来自所述电镀液体的电镀弯液面;以及
由所述输送单元和所述接收单元的分离距离确定的基片路径,所述弯液面在所述第一多孔垫和所述第二多孔垫之间的基片路径中形成。
其中所述基片路径被构造用于为基片提供通路,并且当所述基片在所述输送单元和所述接收单元之间移动时,所述基片的表面在暴露于所述电镀弯液面的所述电镀液的时候被电镀。
2.如权利要求1所述的基片电镀装置,还包括:
第一电荷源,所述第一电荷源被构造用以在所述输送单元中耦合自耗的电镀材料。
3.如权利要求2所述的基片电镀装置,还包括:
第二电荷源,所述第二电荷源被构造用以在所述接收单元中耦合所述自耗的电镀材料。
4.如权利要求3所述的基片电镀装置,其中所述第二电荷源耦合于所述基片。
5.如权利要求1所述的基片电镀装置,其中所述输送单元的内部室包括电镀液室和一对含有自耗电镀材料的室。
6.如权利要求5所述的基片电镀装置,其中所述电镀液室通过第一和第二隔膜分别与所述一对室中的每一个相分开。
7.如权利要求1所述的基片电镀装置,其中形成所述电镀弯液面的所述电镀液的容量可以根据当所述晶片通过所述弯液面时所带出的所述电镀液的容量而改变,以保持稳定的弯液面。
8.如权利要求1所述的基片电镀装置,其中所述电镀液为电解液。
9.如权利要求1所述的基片电镀装置,其中通向所述输送单元内部室的所述开口在所述输送电镀端的底面。
10.如权利要求1所述的基片电镀装置,其中通向所述接收电镀端内部室的所述开口在所述输送电镀端的顶面。
11.如权利要求1所述的基片电镀装置,还包括:
在所述输送单元中确定的预湿顶端,所述预湿顶端包括能够存储预湿液并且连接于第一预湿多孔垫的室,所述第一预湿多孔垫的第一个表面暴露于所述基片路径,第二个表面暴露于所述预湿顶端的室;以及
在所述接收单元中确定的预湿底端,所述预湿底端包括能够存储所述预湿液并且连接于第二预湿多孔垫的室,所述第二预湿多孔垫的第一个表面暴露于所述基片路径,第二个表面暴露于所述预湿底端的室,这样所述第二预湿多孔垫基本上对准于所述第一预湿多孔垫,因此能够在所述第一和第二预湿多孔垫之间确定来自所述预湿液的预湿弯液面;
其中所述基片路径被构造用于为所述基片提供通路,并且当所述基片在所述输送单元和所述接收单元之间移动通过所述基片路径时,所述基片的表面在其暴露于所述电镀液之前暴露于所述预湿弯液面的预湿液。
12.如权利要求1所述的基片电镀装置,还包括
限定于所述输送单元中的清洗/干燥顶端,包括多个能够分散清洗液到所述基片表面的接口和多个能够从所述基片表面抽真空的接口;以及
限定于所述接收单元中的清洗/干燥底端,包括多个能够分散清洗液到所述基片表面的接口和多个能够从所述基片表面抽真空的接口;
其中当所述基片从所述基片电镀装置中移出时,所述基片暴露于所述清洗液和真空中。
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