[发明专利]安装在挠性膜上的倒置变质太阳能电池

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，其包括：

提供衬底；

在第一衬底上沉积形成太阳能电池的半导体材料层的序列；

将半导体衬底安装在挠性膜上；以及

使所述半导体衬底变薄到预定厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述半导体材料层的序列安装成直接邻近于所述挠性膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述挠性膜附装到代用衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述代用衬底为蓝宝石晶片。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括在处理之后移除所述代用衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括将具有所述挠性膜的所述太阳能电池附装到玻璃支撑部件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积半导体材料层的序列的步骤包含：在所述衬底上形成具有第一带隙的第一太阳能子电池；在所述第一子电池上形成具有小于所述第一带隙的第二带隙的第二太阳能子电池；在所述第二子电池上形成具有大于所述第二带隙的第三带隙的分级夹层；形成具有小于所述第二带隙的第四带隙的第三太阳能子电池，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配。

8.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法，其中所述第一衬底包含GaAs，所述第一太阳能子电池包含InGa(Al)P发射极区域和InGa(Al)P基极区域，所述第二太阳能子电池由InGaP发射极区域和In_0.015GaAs基极区域构成。

9.根据权利要求7所述的制造太阳能电池的方法，其中所述分级夹层由多个具有单调增加的晶格常数的InGaAlAs层构成。

10.一种太阳能电池，其包括：

挠性膜；

半导体主体，其安装在所述膜上，且具有层的序列：

包含第一太阳能子电池，其具有第一带隙；

第二太阳能子电池，其设置在所述第一子电池上且具有小于所述第一带隙的第二带隙；

分级夹层，其设置在所述第二子电池上且具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及

第三子电池，其设置在所述夹层上使得所述第三太阳能子电池相对于所述第二子电池晶格失配，且具有小于所述第三带隙的第四带隙。