[发明专利]只读光学信息存储介质的记录方法和再现方法有效
| 申请号： | 200710165029.5 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101197146A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李坰根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/007 | 分类号： | G11B7/007 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;常桂珍 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 只读 光学 信息 存储 介质 记录 方法 再现 | ||
1.一种将信息记录在具有烧录区、导入区和用户数据区的只读光学信息存储介质上的方法，包括：
将数据以凹坑的形式记录在烧录区、导入区和用户数据区之一中；和
将包括凹坑的序列的图样记录在烧录区的区域中，
其中，所述图样在烧录区的区域中重复。
2.一种再现包括烧录区、导入区和数据区的只读光学信息存储介质上的信息的方法，所述烧录区包括按照条形码的形式记录的第一信息、所述数据区包括按照凹坑记录的第二信息，所述方法包括：
再现所述烧录区中按照条形码的形式记录的第一信息；和
再现数据区中按照凹坑记录的第二信息，
其中，包括凹坑的序列的图样被重复记录在烧录区的区域中。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，包括凹坑的序列的图样是“00h”图样。
4.如权利要求1或2所述的方法，其中，在烧录区的区域中的凹坑的序列中使用的第一调制方法与在数据区中的凹坑中使用的第二调制方法不同。
5.如权利要求1或2所述的方法，其中，在烧录区中使用的记录调制方法与在导入区和用户数据区中的至少一个中使用的记录调制方法不同。
6.如权利要求5所述的方法，其中，在烧录区、导入区和用户数据区中使用的记录调制方法是RLL(d，k)调制方法和二相调制方法之一。
7.如权利要求1或2所述的方法，其中，烧录区、导入区、用户数据区和导出区中的至少一个被分为多个子区，所述子区中的凹坑使用不同的调制方法被形成。
8.如权利要求7所述的方法，其中，导入区包括第一子区和第二子区，第一子区使用RLL(d，k)调制方法和二相调制方法中的一个，第二子区使用与第一子区不同的记录调制方法。
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