[发明专利]位置控制双磁控管

权利要求书

1.一种在等离子体溅射室中靶附近使用的磁控管系统，包括：

构成为固定到沿着旋转轴延伸的旋转杆的臂；

旋转地安装到远离旋转轴设置的枢轴线处的臂上的偏转部件；

第一磁控管，其被支撑在偏转部件的第一位置处；以及

第二磁控管，其具有不同于第一磁控管的结构，被支撑在偏转部件上的第二位置处；

其中偏转部件在一个方向上的旋转引起第一磁控管远离旋转轴移动且第二磁控管向着旋转轴移动。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一位置位于臂的一侧上且第二位置位于臂的相反的第二侧上，并且还包括第一和第二阻尼器，其固定到臂相反侧上的旋转部件上，并且当偏转部件关于枢轴线旋转时能与臂啮合。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一磁控管包括具有第一总磁强度的第一磁极性的外部第一磁极和具有第二总磁强度与第一磁极性相反的第二磁极性的内部第二磁极，该第二磁极被第一磁极包围，并且通过第一间隙与其分开，且该第二磁控管包括具有第三总磁强度的第三磁极性的外部第三磁极和具有第四总磁强度的与第三磁极性相反的第四磁极性的内部第四磁极，该第四磁极被第三磁极包围并通过第二间隙与其分开。

4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述第一和第三磁极在相同方向上延伸。

5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，该第一间隙小于第二间隙。

6.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，由第一磁极外围包围的区域小于由第三磁极外围包围的区域。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的系统，其特征在于，所述第一与第二总磁强度的比率大于第三与第四总磁强度的比率。

8.一种等离子体溅射系统，包括：

真空室主体，其设置于中心轴周围，含有用于待处理的衬底的支撑体，并被构成为用靶密封；

旋转杆，其沿着中心轴设置；

第一磁控管，其通过旋转杆旋转并关于中心轴在径向上可置换；以及

第二磁控管，其具有不同于第一磁控管的结构，其通过旋转杆旋转，并且关于中心轴可径向置换。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述第一和第二磁控管被连接以在互补径向方向上移动。

10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，每个所述磁控管都在各自径向内部位置处有效地支持等离子体，并较无效地在各自径向外部位置处支持等离子体。

11.根据权利要求8所述的系统，其特征在于：

该第一磁控管包括具有第一总磁强度的第一磁极性的外部第一磁极和具有第二总磁强度的与第一磁极性相反的第二磁极性的内部第二磁极，第二磁极由第一磁极包围并且通过第一间隙与其分开；和

该第二磁控管包括具有第三总磁强度的第三磁极性的外部第三磁极和具有第四总磁强度的与第三磁极性相反的第四磁极性的内部第四磁极，该第四磁极被第三磁极包围并通过第二间隙与其分开。

12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，所述第一和第三磁极在相同方向上延伸。

13.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，该第一间隙比第二间隙小。

14.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，由第一磁极外围包围的区域小于由第三磁极外围包围的区域。

15.根据权利要求8至14中任一项所述的系统，其特征在于，所述第一与第二总磁强度的比率大于第三与第四总磁强度的比率。

16.根据权利要求15所述的系统，其特征在于：

该第一磁控管包括具有第一总磁强度的第一磁极性的外部第一磁极和具有第二总磁强度的与第一磁极性相反的第二磁极性的内部第二磁极，第二磁极由第一磁极包围并且通过第一间隙与其分开；

该第二磁控管包括具有第三总磁强度的第三磁极性的外部第三磁极和具有第四总磁强度的与第三磁极性相反的第四磁极性的内部第四磁极，该第四磁极被第三磁极包围并通过第二间隙与其分开；以及

由第一磁极外围包围的区域小于由第三磁极外围包围的区域；

第一与第二总磁强度的比率大于第三与第四总磁强度的比率。