[发明专利]用流动梯度设计沉积均匀硅膜的方法和装置有效
申请号: | 200710165353.7 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101319309A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 崔寿永;元泰景;约翰·M·怀特 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流动 梯度 设计 沉积 均匀 方法 装置 | ||
1.一种用于沉积太阳能电池用膜的装置,包括:
处理室,具有限定处理空间的底和侧壁;
基板支撑组件,设置在所述处理室的所述处理空间内;
四边形气体分布板,具有设置在所述处理室内的上游侧和下游侧,其中所 述四边形气体分布板具有角部分和边缘部分,所述角部分具有从所述上游侧延 伸到所述下游侧的第一多个节流口,所述边缘部分具有从所述上游边延伸到所 述下游侧的第二多个节流口,其中所述第一多个节流口具有比所述第二多个节 流口更大的流动阻力。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二多个节流口具有比所述第 一多个节流口更短的长度。
3.根据权利要求1所述的装置,其中每个节流口具有通道和孔,所述孔 具有比所述通道更大的直径。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述通道从所述四边形气体分布板 的上游侧延伸第一深度,所述孔从所述通道的下游侧延伸第二深度。
5.根据权利要求4所述的装置,所述第一多个节流口的第一深度大于所 述第二多个节流口的第一深度。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述第一深度和所述第二深度的和 等于所述四边形气体分布板的所述上游侧和所述下游侧之间的距离。
7.根据权利要求1所述的装置,其中每个节流口具有通道和孔,所述通 道从所述气体分布板的上游侧向下游延伸第一深度,所述孔从所述气体分布板 的下游侧向上游延伸第二深度,并且其中所述通道和孔通过节流孔连接。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述第一多个节流口的第一深度大 于所述第二多个节流口的第一深度。
9.一种用于沉积太阳能电池用膜的装置,包括:
处理室,具有限定处理空间的底和侧壁;
基板支撑组件,设置在所述处理室的所述处理空间内;
四边形气体分布板,具有设置在所述处理室内的上游侧和下游侧,其中所 述四边形气体分布板具有角部分、边缘部分和中心部分,所述角部分具有第一 多个节流口,所述边缘部分具有第二多个节流口,以及所述中心部分具有第三 多个节流口,其中所述第一多个节流口具有比所述第二多个节流口更大的流动 阻力,以及其中所述第二多个节流口具有比所述第三多个节流口更大的流动阻 力。
10.根据权利要求9所述的装置,其中每个节流口具有通道,所述通道从 所述气体分布板的上游侧向下游延伸第一深度,并且其中所述第一多个节流口 的第一深度大于所述第二多个节流口的第一深度。
11.根据权利要求10所述的装置,其中每个节流口具有孔,所述孔从所 述四边形气体分布板的下游侧延伸第二深度。
12.根据权利要求11所述的装置,其中第二多个节流口的通道的直径比 第三多个节流口的通道的直径窄。
13.一种用于在处理室中沉积太阳能电池用膜的方法,包括:
将基板放置到所述处理室中的基板支撑组件上,所述处理室具有面对所述 基板支撑组件的气体分布板;
使处理气体以小于流动经过所述气体分布板的中心部分的处理气体的速 率的速率经过所述气体分布板的角部分朝所述基板流动;以及
由所述处理气体在所述基板上沉积膜。
14.根据权利要求13所述的方法,其中使所述处理气体流动还包括在所 述气体分布板的边缘部分中提供比在所述气体分布板中心部分中更大的流动 阻力。
15.根据权利要求14所述的方法,其中使所述处理气体流动进一步包括 在所述气体分布板的所述角部分中提供比在所述气体分布板的所述边缘部分 中更大的流动阻力。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的