[发明专利]等离子体反应器基板安装表面毛化

权利要求书

1.一种用于在等离子体反应器中使用的基板支架，包括：

构造作为等离子体反应器的电极的电导体，其中所述电导体具有构造为用于支撑大面积基板并为该大面积基板提供热能的顶面，所述顶面具有用于接触该大面积基板的背面的多个突起区域，并且所述多个突起区域占据小于大约50％的顶面表面积。

2.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，多个突起区域足够光滑以便大面积基板的背面不遭受来自刮擦的损伤。

3.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，多个突起区域的高度在大约0.001英寸到大约0.002英寸之间。

4.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，多个突起区域是在整个顶面均匀分布的突起岛状物阵列。

5.根据权利要求4所述的基板支架，其特征在于，相邻突起岛状物之间的距离在大约0.5mm到大约3mm之间。

6.根据权利要求4所述的基板支架，其特征在于，相邻突起岛状物之间的距离在大约1mm到大约2mm之间。

7.根据权利要求4所述的基板支架，其特征在于，多个突起岛状物的每一个具有直径小于0.5mm的圆形接触区域。

8.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，多个突起区域由化学蚀刻形成。

9.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，还包括封装在电导体中的加热元件。

10.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，还包括覆盖电导体的顶面的绝缘涂层。

11.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，电导体由铝制成。

12.一种用于处理大面积基板的基板支架，包括：

构造为用于支撑大面积基板并为大面积基板提供电容去耦的电导体，其中该电导体具有在顶面上均匀分布并与顶面上的多个降低区域连续连接的多个突起区域，该多个突起区域构造为充分接触大面积基板的背面，且该多个突起区域占据顶面的小于大约50％的全部表面积。

13.根据权利要求12所述的基板支架，其特征在于，还包括一个或多个加固件。

14.根据权利要求12所述的基板支架，其特征在于，还包括覆盖顶面的绝缘涂层。

15.根据权利要求12所述的基板支架，其特征在于，所述多个突起区域和多个降低区域由化学蚀刻、电解抛光、研磨、毛化和滚花中的一种形成。

16.根据权利要求12所述的基板支架，其特征在于，所述多个突起区域相对所述多个降低区域的高度在大约0.001英寸到大约0.002英寸之间。

17.根据权利要求12所述的基板支架，其特征在于，所述多个突起区域的每一个具有直径小于0.5mm的圆形形状。

18.一种用于在等离子体室中处理大面积基板的方法，包括：

提供具有电导体的基板支架，其中该电导体具有用于支撑大面积基板并为大面积基板提供热能的顶面，该顶面具有用于接触大面积基板的背面的多个突起区域，该多个突起区域占据小于大约50％的顶面表面积；

将大面积基板放置在该基板支架的顶面；

将前体气体引入到等离子体室中；

通过在该电导体和平行该电导体的电极之间施加RF功率而产生该前体气体的等离子体。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括使用嵌入到所述电导体中的加热元件加热大面积基板。

20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，提供基板支架包括蚀刻所述电导体的顶面以产生多个突起区域。