[发明专利]集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成一集成电路结构的方法，包括：

提供一表面；

对该表面进行一离子化氧处理，其中该离子化氧处理为一增加表面负电性的表面活化处理；

使用包括一第一含氧气体和四乙氧基硅烷的一第一工艺气体来形成包含有氧化硅的一起始层，其中该第一工艺气体的该第一含氧气体和四乙氧基硅烷的流速比大于8，该起始层形成在该表面的上方；以及

在该起始层上形成一硅酸盐玻璃。

2.根据权利要求1所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，在形成该起始层和该硅酸盐玻璃的步骤之间，还包括在该起始层上形成一缓冲层，其中该缓冲层包括氧化硅，且该缓冲层是由与该第一工艺气体不同的一第二工艺气体所形成。

3.根据权利要求2所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该第二工艺气体包括一第二含氧气体和四乙氧基硅烷，且该第一工艺气体的该第一含氧气体和四乙氧基硅烷的流速比高于该第二工艺气体的该第二含氧气体和四乙氧基硅烷的流速比。

4.根据权利要求3所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该第二工艺气体的该第二含氧气体和四乙氧基硅烷的流速比小于3。

5.根据权利要求1所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该第一含氧气体包括臭氧。

6.根据权利要求1所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，进行该离子化氧处理的步骤包括：

引入一处理气体，该处理气体选自于由氧气、臭氧以及二者的组合所组成的一族群；以及

提供一射频功率以活化该处理气体。

7.根据权利要求1所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该表面包括至少一材料的表面，该材料选自于由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属硅化物以及上述任意组合所组成的一族群。

8.根据权利要求1所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该硅酸盐玻璃包括硼磷硅酸盐玻璃。

9.一种形成一集成电路结构的方法，包括：

提供一半导体衬底；

对该半导体衬底的表面进行一离子化氧处理，其中该离子化氧处理为一增加表面负电性的表面活化处理；

使用包括一第一含氧气体和四乙氧基硅烷的一第一工艺气体，在该半导体衬底上形成一起始层，其中该第一含氧气体的流速与该四乙氧基硅烷的流速具有大于8的一第一比值，该起始层形成在上述该半导体衬底的表面的上方；

使用包括一第二含氧气体和四乙氧基硅烷的一第二工艺气体，在该起始层上形成一缓冲层，其中该第二含氧气体的流速与该四乙氧基硅烷的流速具有一第二比值，且该第一比值大于该第二比值；以及

在该缓冲层上形成一硼磷硅酸盐玻璃。

10.根据权利要求9所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该第一比值大于8/3的该第二比值。

11.根据权利要求9所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该第二比值小于3。

12.根据权利要求9所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该第一含氧气体和该第二含氧气体均选自于由氧气、臭氧及二者的组合所组成的一族群。

13.根据权利要求9所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，该第一含氧气体和该第二含氧气体均是臭氧。

14.根据权利要求9所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，进行该离子化氧处理的步骤包括：

引入一处理气体，该处理气体选自于由氧气、臭氧以及二者的组合所组成的一族群；以及

提供一射频功率以活化该处理气体。

15.根据权利要求14所述的形成该集成电路结构的方法，其特征在于，引进该处理气体以及提供该射频功率的步骤是在一第一反应槽中进行，该第一反应槽与半导体衬底所在的一第二反应槽彼此分开。