[发明专利]有机电致发光显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200710165595.6 | 申请日: | 2007-11-22 |
公开(公告)号: | CN101221972A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 金英美;林玄泽;朴钟贤 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光显示器件,包括:
彼此相对的第一和第二基板;
在第一基板上的多条栅线,多条数据线以及多条电源线,所述栅线和数据线彼此交叉以限定多个像素区;
在各个像素区中彼此相连的开关元件和驱动元件;
连接到驱动元件的第一电极;
在第一电极上的有机发光层,有机发光层依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、以及电子注入层,其中空穴注入层由可结晶空穴注入材料和空穴传输材料形成,空穴传输层由空穴传输材料形成;以及
在有机发光层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述空穴注入层中的可结晶空穴注入材料与空穴传输材料的容积比范围为5∶1至30∶1。
3.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述可结晶空穴注入材料包括三亚苯、二萘嵌苯、嵌二萘、并四苯和蒽之一。
4.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述空穴传输材料包括三苯胺。
5.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述空穴注入层接触所述第一电极。
6.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,所述第一电极由氧化铟锡和氧化铟锌之一形成。
7.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,所述第二电极是包括钙、铝、镁、银和锂之一的不透明的单层或包括氟化锂和铝的不透明的双层。
8.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,进一步包括第二基板上的吸湿剂。
9.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述空穴注入层接触所述第一电极。
10.根据权利要求9所述的器件,其特征在于,所述第二电极由氧化铟锡和氧化铟锌之一形成。
11.根据权利要求9所述的器件,其特征在于,所述第一电极是包括钙、铝、镁、银和锂之一的不透明的单层或包括氟化锂和铝的不透明的双层。
12.根据权利要求9所述的器件,其特征在于,进一步包括驱动元件和第一电极之间的连接图案,其中第一电极通过连接图案连接到驱动元件。
13.一种制造用于有机电致发光显示器件的有机电致发光二极管的方法,包括:
形成具有第一功函的第一电极;
在第一电极上形成空穴注入层,所述空穴注入层由可结晶空穴注入材料和空穴传输材料形成;
在空穴注入层上形成由空穴传输材料形成的空穴传输层;
在空穴传输层上形成发光材料层;
在发光材料层上形成电子传输层;
在电子传输层上形成电子注入层;以及
在电子传输层上形成具有小于第一功函的第二功函的第二电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述空穴注入层中的可结晶空穴注入材料与空穴传输材料的容积比范围为5∶1至30∶1。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述形成空穴注入层的步骤包括在第一温度下通过加热可结晶空穴注入材料源沉积可结晶空穴注入材料,以及在第二温度下通过加热空穴传输材料源沉积空穴传输材料。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述第一温度高于所述第二温度。
17.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,在空穴注入层中可结晶空穴注入材料与空穴传输材料的容积比通过第一和第二温度之间的差别控制。
18.一种制造用于有机电致发光显示器件的有机电致发光二极管的方法,包括:
形成具有第一功函的第一电极;
在第一电极上形成电子注入层;
在电子注入层上形成电子传输层;
在电子传输层上形成发光材料层;
在发光材料层上形成空穴传输层,所述空穴传输层由空穴传输材料形成;
在空穴传输层上形成空穴注入层,所述空穴注入层由可结晶空穴注入材料和所述空穴传输材料形成;以及
在空穴注入层上形成具有大于第一功函的第二功函的第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的