[发明专利]电压供应电路

说明书

技术领域

本发明涉及电压供应电路。

背景技术

近年来，电压供应电路已经被多功能化。特别是，一种与用于保护在电压供应电路中包括的输出晶体管免受过电流的方法有关的技术一直在快速地发展(参见日本未审专利申请公开文本No.2000-133721，No.2005-293067，No.2003-186555和No.2002-304225)。

要求过电流保护电路除具有第一特性或第二特性之外，还应具有用于以高精度检测过电流的特性。第一特性是用于减少输出电压的值，同时在输出电流增加超过预定阈值时将输出电流设置为恒定的。第二特性是用于在输出电压减少到低于预定阈值时减少输出电流。注意，第一和第二特性都是用于保护输出晶体管免受加热的损坏。从减少热损失的观点看，第二特性优于第一特性。

除上述特性之外，还要求电压供应电路中的低功率消耗。例如，日本未审专利申请公开文本No.2002-304225示出使参考电流流向GND的技术。参考电流的值对应于在输出晶体管中流动的输出电流的值。对于这种配置，需要电压供应电路的较高功率消耗。

日本未审专利申请公开文本No.2005-293067示出通过将参考晶体管的漏极端子和输出端连接起来以减少功率消耗增加的技术。在这种情况下，无法实现以高精确度检测过电流，因为过电流是使用晶体管的阈值检测的。MOS(金属氧化物半导体)晶体管的阈值会由于生产过程或接合表面温度变化而改变。

正如上面解释的，人们强烈期望具有过电流保护特性同时减少功率消耗的电压供应电路。

发明内容

在一个实施例中，电压供应电路包括输出晶体管，用于响应于从误差放大器向其提供的控制电压，产生流入输出端中的第一电流；和过电流保护电路，其包括与第一电流相关地产生流入输出端中的第二电流的参考晶体管，该过电流保护电路响应于在基于第二电流的检测电压和参考电压之间的比较结果，来调节控制电压。

在另一个实施例中，电压供应电路包括输出晶体管，用于响应于从误差放大器向其施加的控制电压，输出第一电流到输出端；参考晶体管，其将与第一电流相关的第二电流输出到输出端；比较器，其比较基于第二电流的检测电压和参考电压，以生成过电流检测信号；和控制电压调节电路，其响应于过电流检测信号来调节控制电压的电平。

在又一个实施例中，电压供应电路包括输出端；输出晶体管，其响应于从误差放大器施加的控制电压，生成流入输出端的第一电流；参考晶体管，其响应于从误差放大器施加的控制电压，生成流入输出端的第二电流；参考电压生成电路，其生成参考电压；检测电压生成电路，其响应于第二电流生成检测电压；比较器，其比较检测电压和参考电压以输出过电流检测信号；以及调节器，其响应于过电流检测信号来调节控制电压的电平。

在输出晶体管中流动的过电流是基于检测电压和参考电压之间的比较结果来检测的。这使更精确地检测过电流成为可能。并且还通过流入输出端的第一和第二电流两者来抑制内部电流消耗。

可以提供具有过电流保护而减少内部功率消耗特性的电压供应电路。

附图说明

本发明的上述及其他目的、优点和特征将通过结合附图对下列采用的某些最佳实施例的说明而变得更加显而易见，其中：

图1是根据本发明的第一实施例的电压供应电路的电路原理图；

图2是用于解释电压供应电路特性的示意性的视图；

图3是用于比较的电压供应电路的电路原理图；

图4和5是用于解释在每一种情况的大量的内部电流消耗中的区别的示意性的视图；

图6是根据本发明的第二实施例的电压供应电路的电路原理图；

图7是根据本发明的第三实施例的电压供应电路的电路原理图；

图8是根据本发明的第四实施例的电压供应电路的电路原理图；

图9是根据本发明的第五实施例的电压供应电路的电路原理图；

图10是根据本发明的第五实施例用于解释包括在电压供应电路中的中间控制电路的电路原理图；以及

图11是根据本发明的第六实施例的电压供应电路的电路原理图。

具体实施方式

现在将参考例证性的实施例在这里描述本发明。本领域中的那些技术人员将意识到可以使用本发明的教导实现很多可替换的实施例并且本发明不局限于为了解释的目的举例说明的这些实施例。

第一实施例