[发明专利]存储元件和存储器

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及

磁化固定层，其磁化方向固定，并且在所述存储层和所述磁化固定层之间设置有非磁性层，其中，

通过沿堆叠方向施加电流以改变所述存储层的磁化方向来将信息记录在所述存储层中，

所述磁化固定层包括多个铁磁层，在所述多个铁磁层之间堆叠有非磁性层，以及

所述磁化固定层包括具有沿所述堆叠方向的磁化分量和沿互不相同的方向的磁化的磁化区域，所述磁化区域形成在所述多个铁磁层中最接近所述存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

形成所述磁化固定层的每个铁磁层具有至少2nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述磁化固定层的饱和磁场的大小等于或小于8kOe，所述饱和磁场被施加以使得所述存储层的磁化方向与所述多个铁磁层之中最接近所述存储层放置的所述铁磁层的磁化方向平行。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述磁化固定层包括设置在所述存储层之下的下磁化固定层和设置在所述存储层之上的上层磁化固定层，并且，所述下层磁化固定层和所述上层磁化固定层中的至少一个中包括具有所述磁化区域的至少一个铁磁层。

5.一种存储器，包括：

存储元件，包括：基于磁性材料的磁化状态存储信息的存储层；以及磁化固定层，其磁化方向固定，并且在其与所述存储层之间设置有非磁性层，其中，通过沿堆叠方向施加电流改变所述存储层的磁化方向来将信息记录在所述存储层中；以及

配线，提供沿所述存储元件的所述堆叠方向流动的电流，其中，

所述存储元件的所述磁化固定层包括多个铁磁层，在这些铁磁层之间堆叠有非磁性层，以及

所述磁化固定层包括具有沿所述堆叠方向的磁化分量和沿互不相同的方向的磁化的磁化区域，所述磁化区域形成在所述多个铁磁层中最接近所述存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。