[发明专利]闪存介质的数据存储方法有效

专利信息
申请号: 200710165998.0 申请日: 2007-11-14
公开(公告)号: CN101436431A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 卢赛文 申请(专利权)人: 深圳市朗科科技股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 胡海国;王艳春
地址: 518057广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 闪存 介质 数据 存储 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体数据存储领域,特别涉及一种在闪存介质中的数据存储方法。 

背景技术

现有闪存设备早已为人们所熟知,随着人们对性价比要求的不断提高。但生产闪存芯片(Flash Memory)的厂商为了降低成本,使得闪存芯片的寿命也越来越短。典型的,现在的Nand闪存的每个物理块(即Block)的可擦写次数为10000次,甚至更少的5000次。而另一方面,由于对闪存设备的写操作的随机性,使得闪存芯片的部分物理块的操作较多,而部分物理块的操作较少,同一块闪存介质中的块与块之间擦写次数相差非常大,使闪存芯片提前加速老化,极大地缩短了闪存芯片的使用寿命。为此,开发人员采用了各种各样的磨损平衡算法来平衡闪存芯片中各块的使用次数。但是,随着闪存芯片容量的不断提高,单片闪存芯片中块的个数也不断增多,这就给原有的磨损平衡算法增加了难度,很难在整片闪存芯片中做到真正的平衡。 

现有的磨损平衡算法大多是针对基于整个闪存芯片的,而当闪存芯片中的块较多时,如闪存芯片有8192个块,如果从前往后找一个可以搬迁(寿命小于平均寿命上限阈值)的逻辑块,有可能在闪存芯片的前部分可以找到,但后面的块可能根本都找不到;如果要找一个最年轻的块,又要比较闪存芯片中每个块的寿命,不仅效率很低,而且也不方便记录整个闪存芯片的寿命表。 

发明内容

本发明目的在于提供一种闪存介质的数据存储方法,以延长闪存介质的使用寿命。 

本发明提供一种闪存介质的数据存储方法,所述闪存介质包括多个存储块,以及由部分存储块构成的空块池,所述多个存储块被分成两个或两个以上的分区;所述闪存介质在存储数据的过程中,包括: 

回收无效块的步骤; 

从空块池中获取擦写次数较少的空块的步骤; 

判断所获取擦写次数较少的空块是否是已老化的块的步骤。 

优选地,还包括对已老化的块执行静态替换的步骤。 

其中,所述回收无效块的步骤包括:在闪存介质中寻找占有额外块较多的分区的步骤;从所述占有额外块较多的分区中找合适回收的逻辑块的步骤;从空块池中取出擦写次数较少的空块的步骤;用所述擦写次数较少的空块回收所述合适回收的逻辑块中物理块的步骤。 

其中,所述执行静态替换的步骤包括:在所述闪存介质中找出擦写次数较少的分区的步骤;从擦写次数较少的分区中找到擦写次数较少的逻辑块的步骤;从空块池中取出擦写次数较多的空块的步骤;用所述擦写次数较多的空块回收擦写次数较少的逻辑块中物理块的步骤。 

优选地,所述执行静态替换的步骤还包括:判断所述擦写次数较少的逻辑块是否是FAT表所在块的步骤。 

优选地,所述执行静态替换的步骤还包括:判断所述擦写次数较少的逻辑块是否是上次写操作块的步骤。 

本发明提供的闪存介质的数据存储方法,使得可以较为平均的使用闪存介质中的每个物理块,从而使闪存介质中的所有物理块的使用次数保持同步化、均匀化,防止某些物理块因频繁使用而过早地老化,从而延长整个闪存介质的使用寿命。 

附图说明

图1是本发明实施例的分区结构示意图; 

图2是本发明实施例的写数据操作流程图; 

图3是本发明实施例的回收无效块操作流程图; 

图4是本发明实施例的执行静态替换操作的流程图。 

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。 

具体实施方式

如本领技术人员所知,闪存介质即闪存芯片包括若干个存储块,每个存储块由多个页构成,每个页包括数据存储位和冗余位。在闪存介质中按顺序分配给存储块的地址称为物理块,而在使用过程中所具有的划分块的虚构地址称为逻辑地址。逻辑地址与物理地址之间通过映射的方法进行对应和转换,由映射信息组成地址映射表,而由逻辑块地址与物理块地址之间通过映射关系建立的地址映射表称为块地址映射表。 

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