[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200710166109.2 | 申请日: | 2007-11-07 |
公开(公告)号: | CN101192619A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 李相彧 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李德山;杨生平 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
滤色镜层,其包括具有第一厚度的红色滤色镜、具有第二厚度的绿色滤色镜和具有第三厚度的蓝色滤色镜;以及
微透镜阵列,其具有形成在所述红色滤色镜上的具有第四厚度的第一微透镜、形成在所述绿色滤色镜上的具有第五厚度的第二微透镜和形成在所述蓝色滤色镜上的具有第六厚度的第三微透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第四厚度、第五厚度和第六厚度是彼此不同的。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一厚度与所述第四厚度的和、所述第二厚度与所述第五厚度的和以及所述第三厚度与所述第六厚度的和是相等的。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第二厚度比所述第一厚度厚,所述第三厚度比所述第二厚度厚。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第五厚度比所述第四厚度薄,所述第六厚度比所述第五厚度薄。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述微透镜阵列与所述滤色镜层直接接触。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,通过所述第一微透镜聚集光的距离、通过所述第二微透镜聚集光的距离和通过所述第三微透镜聚集光的距离是相等的。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,根据所述滤色镜层的红色、绿色和蓝色滤色镜的厚度选择来确定在各个滤色镜上形成的各个微透镜的厚度,根据所确定的各个微透镜的厚度来确定聚集光的距离。
9.一种制造图像传感器的方法,包括:
形成滤色镜层,所述滤色镜层包括具有第一厚度的红色滤色镜、具有第二厚度的绿色滤色镜和具有第三厚度的蓝色滤色镜;
在所述滤色镜层上形成用于形成微透镜的光刻胶;
图案化所述用于形成微透镜的光刻胶;以及
执行热处理以便形成微透镜阵列,所述微透镜阵列具有形成在所述红色滤色镜上的具有第四厚度的第一微透镜、形成在所述绿色滤色镜上的具有第五厚度的第二微透镜和形成在所述蓝色滤色镜上的具有第六厚度的第三微透镜。
10.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,所述第四厚度、第五厚度和第六厚度是彼此不同的。
11.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,所述第一厚度与所述第四厚度的和、所述第二厚度与所述第五厚度的和以及所述第三厚度与所述第六厚度的和是相等的。
12.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,将所述第二厚度形成为比所述第一厚度厚,将所述第三厚度形成为比所述第二厚度厚。
13.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,将所述第五厚度形成为比所述第四厚度薄,将所述第六厚度形成为比所述第五厚度薄。
14.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,以与所述滤色镜层直接接触的方式形成所述微透镜阵列。
15.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,将通过所述第一微透镜聚集光的距离、通过所述第二微透镜聚集光的距离和通过所述第三微透镜聚集光的距离形成为是相同的。
16.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,根据所述滤色镜层的红色、绿色和蓝色滤色镜的厚度选择来确定形成在各个滤色镜上的各个微透镜的厚度,根据所确定的各个微透镜的厚度来确定聚集光的距离。
17.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,在所述滤色镜层上形成用于形成微透镜的光刻胶包括在所述滤色镜层上涂覆光刻胶,使得所述光刻胶的上表面平坦。
18.根据权利要求9所述的制造图像传感器的方法,其中,形成所述滤色镜层包括顺序形成所述红色滤色镜、所述绿色滤色镜和所述蓝色滤色镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的