[发明专利]具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构

权利要求书

1.一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，其特征在于，至少包含：

一半导体块状基材，该半导体块状基材至少包含：

第一主动区及第二主动区，设于该半导体块状基材中；以及

至少一绝缘区，其中该绝缘区水平相邻于该第一主动区及该第二主动区，且该绝缘区隔离该第一主动区及该第二主动区；

一第一鳍式场效应晶体管，其中该第一鳍式场效应晶体管位于该半导体块状基材的一表面，且该第一鳍式场效应晶体管至少包含：

一第一鳍片，位于该第一主动区上；

一第一栅极介电层，其中该第一栅极介电层位于该第一鳍片的多个侧壁及多个上表面上；

一第一栅极位于该第一栅极介电层上；以及

一第一源极/漏极区，其中该第一源极/漏极区连接于该第一鳍片；

一第二鳍式场效应晶体管，其中该第二鳍式场效应晶体管位于该半导体块状基材的表面，且该第二鳍式场效应晶体管至少包含：

一第二鳍片，其中该第二鳍片通过一鳍片间隙与该第一鳍片分开且位于该第二主动区上，且该第一鳍片及该第二鳍片具有一鳍片高度；

一第二源极/漏极区，其中该第二源极/漏极区连接于该第二鳍片；

一第二栅极介电层，其中该第二栅极介电层位于该第二鳍片的多个侧壁及多个上表面上；以及

一第二栅极位于该第二栅极介电层上；以及

多个硅化金属区位于该第一源极/漏极区上，其中该些硅化金属区的一硅化金属高度少于该鳍片高度，

其中该第一栅极及该第二栅极的一栅极高度大于该鳍片间隙的一半，该第一源极/漏极区的一第一接合深度少于该鳍片高度，该第二源极/漏极区的一第二接合深度少于该鳍片高度，且该鳍片高度大于该鳍片间隙的一半。

2.根据权利要求1所述的具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，其特征在于，该鳍片间隙小于80纳米。

3.根据权利要求1所述的具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，其特征在于，该鳍片间隙小于该第一鳍片及该第二鳍片的该鳍片高度的二倍。

4.根据权利要求3所述的具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，其特征在于，该鳍片高度大于25纳米。

5.根据权利要求1所述的具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，其特征在于，该第一鳍片及该第二鳍片的倾斜角大于87度。

6.根据权利要求1所述的具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，其特征在于，该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区至少包含一材料，且该材料为硅锗或碳化硅。

7.根据权利要求1所述的具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，其特征在于，该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区的宽度分别大于该第一鳍片及该第二鳍片的宽度。