[发明专利]包括选择性刷新操作的电阻式存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括：

相变存储单元阵列；以及

第一电路，用于响应于刷新操作请求来仅刷新所述相变存储单元阵列中的被编程为非晶态的存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储器，还包括：

第二电路，用于在刷新操作期间读取所述相变存储单元阵列中的每个存储单元以确定每个存储单元是否被编程为非晶态。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一电路通过在置位操作时间内连续地复位至少两个存储单元来刷新所述相变存储单元阵列中的所述至少两个存储单元。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一电路通过如下步骤刷新所述存储单元：

激活字线以读取所述字线上的每个存储单元的状态；

读取所述字线上的每个存储单元的所述状态，且临时存储每个存储单元的所述状态；

响应于包括非晶态的每个临时存储的状态来提供写使能信号；以及

响应于每个写使能信号来刷新存储单元。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述相变存储单元阵列包括单比特相变存储单元阵列。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述相变存储单元阵列包括多比特相变存储单元阵列。

7.一种存储器，包括：

电阻式存储单元阵列；

读出电路，被配置为用于读出所述电阻式存储单元阵列中的每个存储单元的状态；

写入电路，被配置为用于编程所述电阻式存储单元阵列中的每个存储单元；以及

控制器，被配置为用于控制刷新操作，其中，所述读出电路读出每个存储单元的所述状态，以及所述写入电路仅刷新被读出为处于比最低电阻状态高的电阻状态的每个存储单元的所述状态。

8.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述读出电路包括用于在刷新操作期间临时存储每个存储单元的所述读出状态的缓冲器，所述缓冲器将指示哪些存储单元处于比所述最低电阻状态高的电阻状态的信号提供给所述写入电路。

9.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵列包括字线，以及所述刷新操作并行地刷新一条字线上的所有存储单元。

10.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述写入电路通过在置位操作时间内连续地复位至少两个存储单元来刷新所述至少两个存储单元。

11.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵列包括单比特电阻式存储单元阵列。

12.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵列包括多级电阻式存储单元阵列。

13.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵列包括相变存储单元阵列。

14.一种存储器，包括：

相变存储单元阵列；以及

用于响应于刷新操作请求来仅刷新处于非晶态的存储单元的装置。

15.根据权利要求14所述的存储器，其中，所述用于仅刷新处于非晶态的存储单元的装置包括用于并行地刷新至少两个存储单元的装置。

16.根据权利要求14所述的存储器，其中，所述用于刷新仅处于非晶态的存储单元的装置包括在置位操作时间内连续地复位至少两个存储单元。

17.根据权利要求14所述的存储器，其中，所述相变存储单元阵列包括单比特相变存储单元阵列。

18.根据权利要求14所述的存储器，其中，所述相变存储单元阵列包括多比特相变存储单元阵列。

19.一种用于刷新存储器的方法，所述方法包括：

读取相变存储单元阵列中的第一存储单元的第一状态；

确定所述第一状态是否是非晶态；以及

响应于确定所述第一状态是非晶态来刷新所述第一存储单元的所述状态。