[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

权利要求书

1.一种用于处理具有单晶硅基板基材，通过热氧化处理形成的第一氧化膜，及含杂质的第二氧化膜的基板的基板处理方法，一部分单晶硅基板基材通过所述第一和第二氧化膜暴露出来，该方法包括：

使用卤素系气体的等离子体蚀刻所述暴露的单晶硅基板基材的等离子蚀刻步骤；

向所述基板供应HF气体的HF气体供应步骤；及

对供应了HF气体的所述基板进行加热的基板加热步骤。

2.根据权利要求1的基板处理方法，其中在所述等离子蚀刻步骤，所述HF气体供应步骤和所述基板加热步骤过程中，所述基板不暴露于环境空气中。

3.根据权利要求1的基板处理方法，其中在所述基板加热步骤中在N₂气体环境中加热所述基板。

4.一种用于处理具有单晶硅基板基材，通过热氧化处理形成的第一氧化膜，及含杂质的第二氧化膜的基板的基板处理方法，一部分单晶硅基板基材通过所述第一和第二氧化膜暴露出来，该方法包括：

使用卤素系气体的等离子体蚀刻所述暴露的单晶硅基板基材的等离子蚀刻步骤；

向所述基板供应HF气体的HF气体供应步骤；及

向供应了HF气体的所述基板供应至少含有NH₃气体的清洗气的清洗气供应步骤。

5.根据权利要求4的基板处理方法，其中在所述等离子蚀刻步骤，所述HF气体供应步骤和所述清洗气供应步骤中，所述基板不暴露于环境空气中。

6.一种用于处理具有单晶硅基板基材，通过热氧化处理形成的第一氧化膜，及含杂质的第二氧化膜的基板的基板处理系统，一部分单晶硅基板基材通过所述第一和第二氧化膜暴露出来，该系统包括：

等离子蚀刻装置，其被设置成使用卤素系气体的等离子体蚀刻所述暴露的单晶硅基板基材；

HF气体供应装置，其被设置成向所述基板供应HF气体；和

基板加热装置，其被设置成对供应了HF气体的所述基板进行加热。

7.根据权利要求6的基板处理系统，包括：

基板传送装置，其被设置在所述等离子蚀刻装置，所述HF气体供应装置和所述基板加热装置之间，所述基板传送装置被设置成传送所述基板以使所述基板不暴露于环境空气。

8.根据权利要求6的基板处理系统，其中所述HF气体供应装置和所述基板加热装置各自由相同的装置构成。

9.一种用于处理具有单晶硅基板基材，通过热氧化处理形成的第一氧化膜，及含杂质的第二氧化膜的基板的基板处理系统，一部分单晶硅基板基材通过所述第一和第二氧化膜暴露出来，该系统包括：

等离子蚀刻装置，其被设置成使用卤素系气体的等离子体蚀刻所述暴露的单晶硅基板基材；

HF气体供应装置，其被设置成向所述基板供应HF气体；和

清洗气供应装置，其被设置成向供应了HF气体的所述基板供应至少含有NH₃气体的清洗气。

10.根据权利要求9的基板处理系统，包括：

基板传送装置，其被设置在所述等离子蚀刻装置，所述HF气体供应装置和所述基板加热装置之间，所述基板传送装置被设置成传送所述基板以使所述基板不暴露于环境空气。