[发明专利]用于平面溅镀的二维磁电管扫描

权利要求书

1.一种用于一矩形靶材后方以将该靶材材料溅镀于一矩形基材上的磁电管，其特征在于，至少包含：

一内磁极，其具有一垂直于一平面的第一磁性，该内磁极是沿该平面中一具两端点的单一路径延伸并包括数个笔直部，其中至少部分笔直部是分别沿一呈回旋图案的矩形坐标延伸；以及

一外磁极，其具有一相对于该第一磁性的第二磁性，该外磁极是环绕该内磁极，其间还以一间隙相隔。

2.如权利要求1所述的磁电管，其特征在于，所述的间隙是一大致固定的间隙。

3.如权利要求1所述的磁电管，其特征在于，所述的磁电管大致填满一矩形轮廓。

4.如权利要求1所述的磁电管，其特征在于，所述的回旋图案是一蜿蜒式图案。

5.如权利要求4所述的磁电管，其特征在于，所述的蜿蜒式图案大致填满一矩形轮廓且还包括两个延伸该两端点路径使之超出该矩形轮廓的尾部，

6.如权利要求1所述的磁电管，其特征在于，所述的回旋图案是一呈矩形的螺旋图案。

7.如权利要求6所述的磁电管，其特征在于，所述的螺旋图案大致填满一矩形轮廓且还包括一个尾部，该尾部是延伸该两端点路径的一端使之超出该矩形轮廓。

8.一种适用于将一矩形靶材的靶材材料溅镀沉积于一矩形基材上的一等离子体溅镀反应器及一设于该靶材背侧与该靶材相对的磁电管中以该靶材的二垂直方向扫描该磁电管的扫描机构。

9.如权利要求8所述的扫描机构，其特征在于，所述的磁电管具有多个独立磁性部，它是沿该矩形靶材的二垂直方向之一者延伸。

10.如权利要求8所述的扫描机构，其特征在于，所述的磁电管包括一内磁极，它是由一呈回旋图案的外磁极所围绕。

11.如权利要求8所述的扫描机构，其特征在于，所述的磁电管可在该二垂直方向扫描的分别距离为该靶材侧的对应长度或不超过该靶材侧长度的20％。

12.一种适用于将一矩形靶材溅镀沉积于一矩形基材上的一等离子体溅镀反应器中的磁电管系统，其特征在于，至少包含：

一磁电管，其具有多个以数个笔直部沿一第一方向延伸的独立磁性部；以及

扫描装置，用于在该第一方向倾斜地扫描该磁电管。

13.如权利要求12所述的磁电管系统，其特征在于，所述的磁电管形成一具有一回旋形状的等离子体回路。

14.如权利要求13所述的磁电管系统，其特征在于，所述的回旋形状是一蜿蜒形式。

15.如权利要求13所述的磁电管系统，其特征在于，所述的回旋形状是一呈矩形的螺旋形式。

16.如权利要求13所述的磁电管系统，其特征在于，所述的磁电管至少包括：

一内磁极，其具有以该回旋形式形成的一第一磁性；以及

一外磁极，其具有一与该第一磁性相反的第二磁性，并以一间隙与内磁极相隔。

17.如权利要求12所述的磁电管系统，其特征在于，所述的扫描装置包括两个独立致动器，其可沿两彼此不平行的方向施力给该磁电管。

18.一种溅镀于一矩形基材上的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：

以一大致矩形的磁电管按多个方向在与一基材相对的矩形靶材的一背侧进行扫描，其中该磁电管具有一封闭的等离子体回路。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述的等离子体回路是以回旋形式形成。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述的扫描步骤是以介于0.5至5mm/秒的速度执行。

21.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述的扫描步骤是以一双Z字图案执行，该双Z字图案是沿一与该靶材对准的矩形的两相对侧以及沿该两相对侧的两连接对角线延伸。

22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述的扫描步骤是以数个彼此相互偏移的该双Z字图案执行。