[发明专利]半导体工艺方法以及半导体装置系统

权利要求书

1.一种半导体工艺方法，该半导体工艺至少包含一第一高温炉管工艺以 及一第二高温炉管工艺，该方法包括：

对装载有至少一芯片的第一晶舟进行该第一高温炉管工艺；以及

对装载有该芯片的第二晶舟进行该第二高温炉管工艺，

且在进行该第二高温炉管工艺之前，进行第一移动步骤，使该芯片在该 第一晶舟上与该芯片在该第二晶舟上的相对位置不同，

其中该第一高温炉管工艺与该第二高温炉管工艺的工艺温度为大于或 等于900℃。

2.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中该第一移动步骤为利用一 机械手臂，使该芯片在同一水平面上旋转一角度。

3.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中该第一移动步骤为利用炉 管机台中的定位装置，改变该芯片在该第一晶舟与该第二晶舟上的相对位 置。

4.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中该第一移动步骤为利用转 动晶舟来改变该芯片在该第一晶舟与该第二晶舟上的相对位置。

5.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中在该第一高温炉管工艺之 后，以及该第一移动步骤之前，还包括进行至少一低温炉管工艺。

6.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中该第一晶舟包括一晶舟本 体，且在该晶舟本体的每一个水平面配置有一支撑部，

该支撑部包括多个横杆、具有一侧为开启的环形隔板，或具有一侧为开 启且表面具有至少一开口的环形隔板。

7.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中该第一晶舟的材质包括石 英或碳化硅。

8.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中该第二晶舟与该第一晶舟 为同一个晶舟或为不同一个晶舟。

9.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中进行该第一移动步骤之前， 还包括进行一芯片曲率测量步骤，且藉由获得的测量值决定该芯片的相对位 移量。

10.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其中在该第二高温炉管工艺之 后，更包括对装载有该芯片的一第三晶舟进行一第三高温炉管工艺，且在进 行该第三高温炉管工艺之前，进行一第二移动步骤，使该芯片在该第一晶舟、 该第二晶舟与该第三晶舟上的相对位置不同。

11.如权利要求10所述的半导体工艺方法，其中该第二移动步骤与该第 一移动步骤相同或不同。

12.如权利要求10所述的半导体工艺方法，其中在该第二高温炉管工艺 之后，以及该第二移动步骤之前，还包括进行至少一低温炉管工艺。

13.如权利要求10所述的半导体工艺方法，其中该第三高温炉管工艺的 工艺温度为大于或等于900℃。

14.如权利要求10所述的半导体工艺方法，其中该第三晶舟与该第二晶 舟为同一个晶舟或为不同一个晶舟。

15.如权利要求10所述的半导体工艺方法，其中进行该第二移动步骤之 前，还包括进行一芯片曲率测量步骤，且藉由获得的测量值决定该芯片的相 对位移量。

16.一种半导体装置系统，包括：

至少一炉管设备，用以进行高温炉管工艺，该炉管设备包括一晶舟，用 以装载至少一芯片；以及

一移动控制站点，与该炉管设备相耦合，用以使进行不同的高温炉管工 艺时，该芯片与该晶舟的相对位置不同，

其中该高温炉管工艺的工艺温度为大于或等于900℃。

17.如权利要求16所述的半导体装置系统，还包括一芯片曲率测量站点， 与该炉管设备、该移动控制站点相耦合，用以藉由获得的测量值决定该芯片 的相对位移量。

18.如权利要求16所述的半导体装置系统，其中该移动控制站点为利用 一机械手臂，使该芯片在同一水平面上旋转一角度。

19.如权利要求16所述的半导体装置系统，其中该移动控制站点为利用 一定位装置，改变该芯片在该晶舟上的相对位置。