[发明专利]在离散片上沉积多层涂层的装置有效
申请号: | 200710167221.8 | 申请日: | 2003-04-14 |
公开(公告)号: | CN101231974A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | J·C·帕加诺;K·J·内尔森;P·E·伯罗斯;M·E·格罗斯;M·R·祖姆霍夫;P·M·马丁;C·C·邦哈姆;G·L·格拉夫 | 申请(专利权)人: | 维特克斯系统公司 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L51/00;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吕彩霞;韦欣华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离散 沉积 多层 涂层 装置 | ||
1.一种用于环境敏感器件的多层涂层,所述涂层包含:
等离子保护层,其被构成以置于所述器件上;和
置于所述等离子保护层上的叠层,所述叠层包含至少一个有机层和至少一个无机层,所述等离子保护层具有隔热性能,从而当在沉积所述叠层时,与没有所述等离子保护层的情况相比,由沉积所述叠层所使用的等离子引起的对所述器件的损害被显著地降低了。
2.按照权利要求1所述的涂层,其中所述等离子保护层包含金属卤化物。
3.按照权利要求1所述的涂层,其中所述金属卤化物等离子保护层包含氟化锂。
4.按照权利要求1所述的涂层,其中所述等离子保护层是使用选自非等离子工艺的方法来沉积的。
5.按照权利要求4所述的涂层,其中所述非等离子工艺是蒸发工艺。
6.按照权利要求1所述的涂层,其中所述等离子保护层是在所述涂层上的第一沉积层。
7.按照权利要求1所述的涂层,其中所述叠层的所述无机层选自金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物及其组合。
8.一种封装的等离子敏感的器件,包含:
底物;
置于所述底物上的等离子敏感的器件;
置于所述器件上的等离子保护层,以降低将所述器件暴露于等离子而引起的损害;以及
置于所述等离子保护层上的多层涂层,从而使所述器件置于所述底物和所述多层涂层之间,所述多层涂层包含至少一个有机层和至少一个无机层。
9.按照权利要求8的器件,其中所述等离子保护层包含金属卤化物。
10.按照权利要求9的器件,其中所述金属卤化物等离子保护层包含氟化锂。
11.按照权利要求8所述的器件,其中置于所述等离子敏感器件上的所述等离子保护层与所述器件相接触。
12.按照权利要求8所述的器件,其中所述等离子保护层是使用非等离子工艺来沉积的。
13.按照权利要求12所述的器件,其中所述非离子工艺选自热蒸发、电子束蒸发、化学气相沉积、金属有机化学气相沉积、等离子增强的化学气相沉积、催化化学气相沉积、反应性等离子沉积、等离子喷涂、在蒸发后进行离子辅助的致密化以及它们的组合。
14.按照权利要求8所述的器件,其中所述器件包含电子电路。
15.按照权利要求14所述的器件,其中所述器件包含有机发光二极管。
16.一种降低使用等离子沉积工艺进行材料沉积而引起的对等离子敏感的电子器件的损害的方法,所述方法包括:
在底物上放置所述器件;
使用非等离子工艺在所述器件上沉积等离子保护层;并且
在所述等离子保护层上沉积多层涂层,从而使所述器件被包封在所述底物、所述等离子保护层和所述多层涂层之间,所述多层涂层包含至少一个有机层和至少一个无机层。
17.按照权利要求16所述的器件,其中所述非等离子工艺是在真空中进行的。
18.按照权利要求16所述的器件,其中所述非等离子工艺选自热蒸发、电子束蒸发、化学气相沉积、金属有机化学气相沉积、等离子增强的化学气相沉积、催化化学气相沉积、反应性等离子沉积、等离子喷涂、在蒸发后进行离子辅助的致密化以及它们的组合。
19.按照权利要求16所述的器件,其中所述等离子保护层包含金属卤化物。
20.按照权利要求19所述的器件,其中所述金属卤化物等离子保护层包含氟化锂。
21.按照权利要求16所述的器件,其中所述等离子保护层不是构成所述多层涂层的无机层之一。
22.按照权利要求16所述的器件,其中所述多层涂层的至少一层是使用所述等离子沉积工艺沉积的。
23.按照权利要求16所述的器件,其中所述等离子保护层被沉积到所述器件上从而与之相接触。
24.通过权利要求16的方法生产的包封的等离子敏感器件。
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