[发明专利]凸块下金属层结构、晶圆结构与该晶圆结构的形成方法无效
| 申请号： | 200710167276.9 | 申请日： | 2007-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101159253A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 余瑞益 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽;刁文魁 |
| 地址： | 台湾省高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凸块下 金属 结构 形成 方法 | ||
1.一种凸块下金属层结构，包括：一黏附层、一阻障层以及一湿润层，其中黏附层设置在一晶圆的一接垫上，阻障层设置在该黏附层上，以及湿润层设置在该阻障层上，其特征在于：该黏附层的材料为含硼的镍(Ni-B)，该阻障层材料为钴(Co)，该湿润层的材料为金(Au)。
2.如权利要求1所述的凸块下金属层结构，其特征在于：该黏附层是无电电镀层(electroless plating layer)，其厚度大约为1～15微米(um)，该阻障层是无电电镀层，其厚度大约为0.15～7.5微米，该湿润层是无电电镀层或浸镀层(immersion plating layer)，其厚度大约为0.05～0.15微米。
3.一种晶圆结构，包括：一晶圆、一接垫、一钝化层以及一凸块下金属层，其中该接垫设置在该晶圆上，该钝化层覆盖该晶圆并且暴露出部分的接垫，该凸块下金属层包括：一黏附层、一阻障层以及一湿润层，其中该黏附层设置在该接垫上，阻障层设置在该黏附层上，湿润层设置在该阻障层上，其特征在于：该黏附层的材料为含硼的镍，该阻障层的材料为钴，该湿润层的材料为金。
4.如权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于：该黏附层为无电电镀层，厚度大约为1～15微米，该阻障层为无电电镀层，厚度大约为0.15～7.5微米，该湿润层为无电电镀层或浸镀层，厚度大约为0.05～0.15微米。
5.如权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于：该结构还包括：一设置在该湿润层上的凸块(bump)，该凸块的材料为锡(Sn)、铅(Pb)、镍、金、银(Ag)、铜或其组合。
6.一种晶圆结构的形成方法，包括：提供一晶圆，该晶圆的表面设置有一接垫并且覆盖有一钝化层，该钝化层暴露出部分接垫；在该接垫上无电电镀(electroless plating)一黏附层；在该黏附层上无电电镀一阻障层；以及在该阻障层上形成一湿润层，其特征在于：该黏附层的材料为含硼的镍(Ni-B)，该阻障层的材料为钴(Co)，该湿润层的材料为金(Au)。
7.如权利要求6所述的晶圆结构的形成方法，其特征在于：该黏附层的厚度大约为1～15微米，该阻障层的厚度大约为0.15～7.5微米，该湿润层的厚度大约为0.05～0.15微米。
8.如权利要求6所述的晶圆结构的形成方法，其特征在于：在形成该湿润层的步骤中，该湿润层是无电电镀或浸镀(immersion plating)在该阻障层上。
9.如权利要求6所述的晶圆结构的形成方法，其特征在于：该方法还包括：在该湿润层上印刷一焊料层；及回焊该焊料层以形成一凸块。
10.如权利要求6所述的晶圆结构的形成方法，其特征在于：该方法还包括：利用直接植球的方式将一凸块设置在该湿润层上。
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