[发明专利]基板处理装置和该装置的分析方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述基板处理装置的特征在于，包括：

分析导入所述收容室前的气体的导入前气体分析装置；

分析通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和

根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知装置，

该状态检知装置，对在多个所述基板上实施所述规定的处理之前的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之前的比与在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述状态检知装置根据所述校正过的通过所述处理空间后的气体分析结果来检测所述规定的处理的终点。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

其具有对所述收容室内进行排气的排气系统，在所述排气系统中配置有所述通过后气体分析装置。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：

所述收容室具有防止所述处理空间的等离子体向下游流出的排气板，所述排气系统具有高分子真空泵，在所述排气板和所述高分子真空泵之间配置有所述通过后气体分析装置。

5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

在所述收容室上配置有所述通过后气体分析装置。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置中的至少一方包括：引入气体的气体引入室、在该气体引入室内使等离子体产生的等离子体产生装置、对由所述等离子体激发的所述气体中的原子或分子的发光进行分光并测定发光强度的分光测定装置。

7.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方为质量分析器。

8.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方为傅里叶变换红外分光光度计。

9.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方包括：所述气体流动的气体管、在该气体管内使等离子体产生的等离子体产生装置、对所述气体管内的等离子体产生中心部的下游的余辉进行分光并测定发光强度的分光测定装置。

10.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板处理装置与将所述基板向该基板处理装置搬入搬出的基板搬送装置连接，

该基板搬送装置具有分析该基板搬送装置内的气体的气体分析装置。

11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板搬送装置具有对该基板搬送装置内的气体进行排气的第二排气系统，所述气体分析装置配置在该第二排气系统上。

12.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板搬送装置具有暂时收容所述基板的第二收容室，所述气体分析装置配置在所述第二收容室上。