[发明专利]制备稀土永磁体材料的方法

权利要求书

1.一种制备稀土永磁体材料的方法，包括如下步骤：

在R¹-Fe-B组成的烧结磁体本体的表面布置粉末，其中R¹为选自包括Sc和Y在内的稀土元素的至少一种元素，所述粉末包含至少30重量％的R²_aT_bM_cA_dH_e合金，其中R²为选自包括Sc和Y在内的稀土元素的至少一种元素，T是铁和/或钴，M是选自Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W的至少一种元素，A是硼和/或碳，H是氢，且a到e表示基于合金的原子百分比，其范围是：15≤a≤80，0.1≤c≤15，0≤d≤30，0≤e≤(a×2.5)，且余量为b，且所述粉末的平均颗粒尺寸小于或等于100μm，且

在真空或者惰性气体中、在低于或等于磁体本体烧结温度的温度下，热处理在其表面布置有粉末的磁体本体，以便吸收处理使得粉末中的R²和T、M和A中至少一种被吸收到磁体本体中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，烧结磁体本体的最小部分的尺寸小于或等于20mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粉末被布置在磁体本体表面，其数量对应于由磁体本体表面起距离小于或等于1mm的磁体本体周围空间内至少10体积％的平均填充系数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粉末含有至少1重量％的R³的氧化物、R⁴的氟化物和R⁵的氟氧化物中的至少一种，其中R³、R⁴和R⁵各为选自包括Sc和Y在内的稀土元素的至少一种元素，以使得R³、R⁴和R⁵中的至少一种被吸收到磁体本体中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，R³、R⁴和R⁵各含有至少10原子％的选自Nd、Pr、Dy和Tb中的至少一种元素。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在吸收处理后，在更低的温度下实现时效处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，R²含有至少10原子％的选自Nd、Pr、Dy和Tb的至少一种元素。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在布置步骤，以分散在含水的或有机溶液中的浆料的形式供给粉末。

9.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在布置步骤前，用选自碱、酸和有机溶剂的至少一种试剂进行磁体本体的洗涤。

10.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在布置步骤前，对磁体本体进行喷砂以除去表面层。

11.根据权利要求1所述的方法，其还包括在吸收处理后或者时效处理后，用选自碱、酸和有机溶剂的至少一种试剂进行磁体本体的洗涤。

12.根据权利要求1所述的方法，其还包括在吸收处理或者时效处理后对磁体本体进行机械加工。

13.根据权利要求1所述的方法，其还包括在吸收处理后、在时效处理后、在时效处理之后的碱、酸或有机溶液洗涤步骤后或者时效处理之后的机械加工步骤后，进行磁体本体的镀覆或涂覆。