[发明专利]闪速存储器装置及其编程方法

说明书

技术领域

本公开涉及半导体存储器装置以及更特别地，涉及闪速存储器装置。

背景技术

对于不需要刷新其中存储的数据就能进行电编程和电擦除的半导体存储器装置，存在不断增长的需求。工业中的趋势是增加半导体存储器装置的存储容量和集成度。闪速存储器装置是典型的非易失性半导体存储器装置，其提供大容量和高集成度而不用刷新存储的数据。因为其能够在没有电力时保存数据，闪速存储器装置被广泛用于例如便携计算机、PMP、MP3播放器、移动电话及类似装置的更可能存在电力中断的电子装置中。

图1是一方框图，显示了包括一闪速存储器装置的传统存储器系统。传统存储器系统包括一闪速存储器装置100和一存储器控制器200。所述闪速存储器装置100可以在存储器控制器200的控制下执行读取、编程和擦除操作。例如，当从一外部源(如，主机)请求一编程操作时，被编程的数据(如一页数据)可以从所述外部源被传输到所述存储器控制器200的缓冲器存储器201。一旦数据被传输到所述缓冲器存储器201，所述存储器控制器200可以根据一给定定时将命令、地址和数据传送到所述闪速存储器装置100，其在随后的部分中参考图2进行讨论。

在第一时间间隔(interval)P1中，所述存储器控制器200可以传送一命令和一地址到所述闪速存储器装置100。在第二时间间隔P2中，所述存储器控制器200可以传送存储在所述缓冲器存储器201中的数据(如，页数据)到所述闪速存储器装置100，其以前已经在一数据装载时间被调用过。当被存储在所述缓冲器存储器201中的所述页数据在第三时间间隔P3中被完全传送到所述闪速存储器装置100时，所述闪速存储器装置100可以依据标准的工业方式执行一编程操作。如果在第四时间间隔P4完成一编程操作，所述存储器控制器200可以确认来自于所述闪速存储器装置100的编程结果。

如果所述编程结果指示一不成功的编程操作，所述存储器控制器200可以重新发送所述命令、地址和数据到所述闪速存储器装置100以进行一重新编程操作，在这种情况下所述重新发送的地址可以是另一存储器位置的页地址。这是因为所述闪速存储器装置100的存储器单元不象在该领域中的标准操作一样被重写。换句话说，存储器单元可以被擦除和编程以便存储新的数据到被编程的存储器单元。因为这个原因，编程失败的数据可以通过作为该领域中通常的做法的块替换功能被编程在另一存储器位置或块。相应地，在不成功的编程操作发生的情况下，所述数据的重新编程可以降低存储器系统(或闪速存储器装置)的总的操作速度。

为了提高编程速度，接着被编程的页数据可以在执行编程操作期间从一外部主机发送到所述缓冲器存储器201。根据该数据传送方案，用于存储发送到所述闪速存储器装置100的数据的一附加缓冲器存储器201可以被包括在所述存储器控制器200中以便支持对不成功的编程操作执行重新编程操作。这常常增加所述存储器控制器200的成本。

结果，存在对技术的需求，所述技术当不成功的编程发生时不需要外部控制、不需要数据重新加载以及不需要降低操作速度来自动执行一重新编程操作。

发明内容

本发明的示范性的实施例是一种对一闪速存储器装置进行编程的方法，所述闪速存储器装置包括排列成行和列的一存储器单元阵列，所述方法包括：使用加载的数据对选定行的存储器单元进行编程以及确定所述选定行的存储器单元是否被成功地编程。当所确定的结果是不成功的编程操作时，根据存储在所述闪速存储器装置中的指示重新编程操作的on/off状态的标志信息来选择一重新编程操作。当所述标志信息指示所述重新编程信息的on状态时，将所述加载的数据重新编程到与所述选定行不同的一行存储器单元中。如果所述解释是一致的，则所述重新编程信息的逻辑状态是可逆的而不需要修改所述实施例。

所述不同行的存储器单元可进一步由存储在所述闪速存储器装置中的地址信息选择。

地址信息和所述标志信息可进一步存储在所述闪速存储器装置的一备份参数存储器组件中。

在通电时，地址信息和所述标志信息可进一步从所述阵列被加载到一备份参数存储器组件上。

在一正常操作之前，地址信息和所述标志信息可进一步从所述外部源被加载到一备份参数存储器组件上。

在通电时，地址信息和所述标志信息可进一步从所述外部源被加载到一备份参数存储器组件上。

当所述标志信息指示所述重新编程操作的on状态时，编程操作可进一步被终止而不需要所述重新编程操作。