[发明专利]鳍式场效应晶体管装置的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：

提供基底，其包含第一鳍及第二鳍；

形成第一材料层于该第一鳍上，其中该第一材料层包含第一种类的杂质；

提供第二种类的杂质于该第二鳍上；以及

对该基底进行高温工艺，该基底包含该第一材料层及该第二种类的杂质。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中该基底所进行的该高温工艺使该第一种类的杂质趋入至该第一鳍中，且使该第二种类的杂质趋入至该第二鳍中。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中该第一鳍包含N型鳍式场效应晶体管装置的沟道，且该第二鳍包含P型鳍式场效应晶体管装置的沟道。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中该第一材料层的制造方法包含：

沉积硅玻璃层于包含该第一鳍的周围区域及该第二鳍的周围区域的基底上；以及

蚀刻该硅玻璃层，以移除该第二鳍的周围区域的该硅玻璃层。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中还包含：

在该高温工艺后，自该基底移除该第一材料层。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中提供该第二种类的杂质于该基底的工艺，包含形成含有该第二种类的杂质的硅玻璃层，其中该硅玻璃层所含有的该第二种类的杂质不同于该硅玻璃层所含有的该第一种类的杂质。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中提供该第二种类的杂质于该基底的工艺，包含利用气相工艺对该第二种类的杂质进行扩散步骤。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，还包含：

在提供该第二种类的杂质前，进行预先非晶化掺杂工艺。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中该高温工艺包含快速热退火工艺。

10.一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：

提供基底，其包含第一鳍及第二鳍；

形成磷硅玻璃层于包含该第一鳍的周围区域的该基底上；

进行气相工艺，在包含该第二鳍的周围区域的该基底上形成硼元素的扩散层；以及

对包含该磷硅玻璃层及该硼元素的扩散层的基底进行退火工艺，该退火工艺使磷元素自该磷硅玻璃层趋入至该第一鳍中，且使硼元素自该硼元素的扩散层趋入至该第二鳍中。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中还包含：

沉积氧化层于该磷硅玻璃层上。

12.如权利要求10所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中进行该退火工艺的该基底形成N型掺杂的第一鳍及P型掺杂的第二鳍；该N型掺杂的第一鳍包含N型金氧半导体鳍式场效应晶体管装置中的沟道，该P型掺杂的第二鳍包含P型金属氧化物半导体鳍式场效应晶体管装置中的沟道。

13.一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：

进行固相扩散工艺将第一杂质扩散至半导体基底上的第一鳍中；以及

进行至少一个固相扩散工艺及一个气相扩散工艺，将第二杂质扩散至该半导体基底上的第二鳍中。

14.如权利要求13所述的鳍式场效应晶体管装置的制造方法，其中是利用单一的高温工艺进行该第一杂质的该扩散工艺，及进行该第二杂质的该扩散工艺。