[发明专利]防护薄膜组件收纳容器有效
申请号: | 200710168014.4 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN101174083A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 关原一敏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/673;B65D81/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防护 薄膜 组件 收纳 容器 | ||
技术领域
本发明是关于一种防护薄膜组件收纳容器,其可收纳、保管、输送在吾人制造半导体装置、印刷基板或是液晶显示器等产品时作为防尘器使用的微影用防护薄膜组件。
背景技术
在LSI等半导体装置或是液晶显示器等物品的制造中,是用光照射半导体晶圆或者是液晶用玻璃基板以制作出图案,惟若此时所使用的光罩或是初缩光罩(以下称光罩)上有灰尘附着的话,该灰尘会遮住光,或折射光线,使转印的图案发生损坏。
因此,该等作业通常是在无尘室内进行,惟即使如此欲经常保持光罩清洁仍相当困难,故采取在光罩表面贴附防护薄膜组件作为防尘器的方法。
此时,异物并非直接附着于光罩表面上,而是附着于防护薄膜组件上,故只要在微影步骤中将焦点对准光罩图案上,防护薄膜组件上的异物就不会对转印造成影响。
然而,在将防护薄膜组件贴附于光罩上后其所形成的封闭空间虽然具有防止异物从外部侵入内部的效果,惟若异物是附着于防护薄膜组件本身且在封闭空间内部时,便难以防止光罩表面附着异物。因此,除了要求防护薄膜组件本身的高度清洁性以外,更强烈要求保管、输送时使用的防护薄膜组件收纳容器也具有维持该清洁性的性能。具体而言,要求其防止静电性能优异,并由受摩擦时发尘量少的材质所构成,且形成能尽量防止防护薄膜组件与构成零件间的接触的构造,以及施加外力时能够防止变形的高刚性构造。
防护薄膜组件收纳容器通常是将丙烯腈-丁二烯-苯二烯共聚物(Acrylonitrile Butadiene Styrene,ABS)树脂、丙烯酸等树脂以射出成形或是真空成形等方式制造而成。利用该等成形方法,具备表面平滑故异物附着或发尘的疑虑较少、一体成形无接缝故发尘或异物侵入的疑虑较少、即使物品形状复杂也能轻易制造、量产性优异、成本低廉等优点。
半导体用或印刷基板用的防护薄膜组件收纳容器,其外形边长大约200~300mm左右,该等容器通常是利用射出成形方式制造而成。如前所述,为了保持防护薄膜组件收纳容器的干净,而要求其具有即使外力施加时也难以变形的高刚性,惟对该等边长200~300mm的防护薄膜组件收纳容器而言少有刚性的问题存在。
原本,小型容器就比较容易确保其刚性,且用射出成形的方式改变局部部位的厚度,便可轻易补强重要部位的壁厚。
另一方面,主要用于液晶用防护薄膜组件而边长超过500mm的大型防护薄膜组件收纳容器,一般是对ABS、丙烯酸等合成树脂片材以真空成形方式所制造而成。
这是因为,若使用从一个地方或是数个地方的闸门将树脂以高速注入模具内的射出成形方式,其树脂流动距离太长而会造成制作上的困难。真空成形方式,是在模具上覆盖加热过的树脂片材,再以真空吸引成形,故即使大型物品也能轻易制得。
然而,真空成形方式无法形成厚壁,虽可用肋部作某些程度的补强,惟基本上只是弯曲相同板厚的片材所制成的而已,故使用该方式仍很难制得高刚性的物品。
该等肋部的例子,就容器本体而言,例如,专利文献1等所例示的。就盖体而言,例如,设置如图3所示那样的井字形的肋部或X字型的肋部(未经图示)。
又,仅靠肋部补强仍嫌不足时,例如,如专利文献2所示的,可与其他补强体连结以确保刚性。
[特许文献1]特开2000-173887
[特许文献2]特愿2005-081533
发明内容
发明所欲解决的问题
当吾人欲从收纳容器将防护薄膜组件取出而打开盖体时,会对收纳容器内产生剧烈的外气卷吸。此时,会发生空气中的浮游物或收纳容器周围所附着的异物随着外气一起卷入而附着于防护薄膜组件上的现象。
由于大型防护薄膜组件收纳容器其盖体也很大,故即使缓慢掀起盖体,也很容易发生该等现象。
盖体为了防止输送时等因外力而变形,而被要求具有高刚性,惟该现象会随着盖体刚性愈高愈显著。这是为了抑制从收纳容器本体将盖体掀开时的微小变形。
因此,目前尚无法制得一种防护薄膜组件收纳容器,其具有确保容器内部清净度的高刚性,而且掀开盖体时不会卷入异物附着于防护薄膜组件上。
根据以上所述,本发明的目的在于提供一种防护薄膜组件收纳容器,其具有足够刚性承受保管、输送时的外力,而且能抑制掀开盖体时卷入剧烈外气,并防止异物附着于防护薄膜组件上。
解决问题的技术手段
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备