[发明专利]有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置

权利要求书

1.一种有机强电介质膜的形成方法，是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法，该方法具有：

在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；和

由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序，

上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布·干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序；

上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热·加压，对上述低结晶度膜进行整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。

2.根据权利要求1所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，上述低结晶度膜中的结晶度是上述有机强电介质膜的结晶度的80％以下。

3.根据权利要求1或2的任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，上述加压的压力是0.1～10MPa/cm²。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，上述有机强电介质膜的膜厚是5nm～500nm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，上述有机强电介质材料是偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物、偏氟乙烯的聚合物中的单独一种或者2种的组合。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，含有上述有机强电介质材料的液状材料是将上述有机强电介质材料溶解于溶剂中的材料。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，用于提高上述结晶度的上述加热的温度是80～200℃。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，提高上述结晶度后，维持上述加压状态不变地进行冷却。

9.根据权利要求8所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，上述冷却在上述有机强电介质材料的玻璃转变点以下进行。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第1工序后且上述第2工序前具有加热、软化上述低结晶度膜的工序。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，通过向上述基板按压能对上述有机强电介质膜的有效区域进行规定的模具，从而进行上述整形。

12.根据权利要求11所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，使上述模具在其按压面实施脱模处理。

13.根据权利要求11或12所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1工序之前在上述基板上形成第1电极，在上述第1工序中在上述第1电极的与上述基板相反侧的面上形成上述低结晶度膜，

在上述第2工序中，在上述加压时，在上述模具和上述第1电极之间施加电场，同时进行上述结晶。

14.一种有机强电介质膜的形成方法，是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法，该方法具有：

在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；和

由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序，

上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布·干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序；

上述第2工序包括：

对上述低结晶度膜进行加热而形成提高了上述低结晶度膜的结晶度的结晶膜的第3工序；和

通过上述结晶膜的加热·加压，从而对上述结晶膜进行整形，以形成上述有机强电介质膜的第4工序。