[发明专利]一种硫属相变存储器CRAM存储元无效
| 申请号： | 200710168408.X | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101159313A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王嘉赋;向宏酉;李娟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 潘杰 |
| 地址： | 430070湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 属相 存储器 cram 存储 | ||
1.一种硫属相变存储器CRAM存储元、其材料层从下至上依次为：下电极、第一相变层、加热层、第二相变层和上电极。
2.如权利要求1所述的硫属相变存储器CRAM存储元、其特征在于：加热层尺寸小于相变层，第一相变层、加热层、第二相变层形成“工”形结构。
3.如权利要求1所述的硫属相变存储器CRAM存储元、其特征在于：下电极直接连接一个n-MOS晶体管的漏极D，其中n-MOS晶体管的源极S通过电极直接接地，栅极接存储器的字线，或先接栅极电极，栅极电极再接字线。
4.如权利要求1所述的硫属相变存储器CRAM存储元、其特征在于：在制造存储元的不同材料层结构过程中，组成存储元的材料之外还有一层绝缘材料薄膜，绝缘材料薄膜是同一物质，或在不同步骤中使用不同绝缘物质。
5.如权利要求1所述的硫属相变存储器CRAM存储元、其特征在于：相变层的相变材料为硫属化合物Ge2Sb2Te5，或能用于实现相变存储的其它硫属化合物。
6.如权利要求1所述的硫属相变存储器CRAM存储元、其特征在于：两层相变材料之间的加热层材料为非晶碳材料，或满足于实现相变存储的其它加热材料。
7.如权利要求1所述的硫属相变存储器CRAM存储元、其特征在于：上电极直接用作存储器位线，或将上电极用作接触电极，在上电极之上另外接位线。
8.如权利要求2所述的硫属相变存储器CRAM存储元、其特征在于：加热层和相变层的尺寸之比为1∶3，第一相变层和第二相变层的横向尺寸相同。
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